公开/公告号CN1982210A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-06-20
原文格式PDF
申请/专利权人 三星SDI株式会社;
申请/专利号CN200610101172.3
申请日2006-07-05
分类号C01B31/02;B82B3/00;H01J9/02;H01J1/304;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 18:42:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-19
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-20
公开
公开
机译: 生长碳纳米管的方法和具有该方法的场致发射器件的制造方法
机译: 生长碳纳米管的方法和具有该方法的场致发射器件的制造方法
机译: 包括碳纳米管电子场致发射器件的电子场致发射器件的制造方法