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生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法

摘要

提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括:制备衬底;在所述衬底上形成催化剂金属层,以促进碳纳米管的生长;形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层;以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中,以适于场致发射器件的发射器的密度,在低温下,以低成本生长碳纳米管。

著录项

  • 公开/公告号CN1982210A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星SDI株式会社;

    申请/专利号CN200610101172.3

  • 发明设计人 金夏辰;韩仁泽;

    申请日2006-07-05

  • 分类号C01B31/02;B82B3/00;H01J9/02;H01J1/304;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 18:42:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-06-20

    公开

    公开

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