公开/公告号CN101086060A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-12-12
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN200710035381.7
申请日2007-07-17
分类号C23C16/30(20060101);C23C16/448(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/56(20060101);H01L21/365(20060101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所;
代理人颜勇
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘湘潭大学
入库时间 2023-12-17 19:28:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-11-04
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-12-12
公开
公开
机译: 具有室温下具有铁磁特性的超晶格结构的氧化钛基稀磁半导体薄膜的制备
机译: 通过溅射制备氧化锌基薄膜的方法及由此制备的氧化锌基薄膜
机译: 室温下具有铁磁性能的具有超晶格结构的氧化钛稀释型磁半导体薄膜的制备