一种能抑制本振开关管噪声的CMOS下混频器

摘要

本发明属于无线接收机射频前端技术领域，具体为一种能抑制本振开关管噪声的CMOS下混频器。它由射频RF放大级、本振LO开关级和中频IF负载级组成。其中RF放大级将接收到的RF电压信号转换成电流信号，LO开关级使RF电流信号以LO频率在输出差分负载上交替输出，从而实现RF频率与LO频率相乘后得到的IF信号在负载上的输出。该电路结构与传统的基尔伯特型混频器结构相比，将LO信号与RF信号的位置进行了调换，以使该混频器适用于电源为低电压且LO信号为高频时，降低LO管的噪声对输出IF端的噪声贡献和干扰，并减小混频器在LO信号为零时的静态直流功耗。