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用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器

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摘要

一种半导体器件包括晶体管，电容器和电阻器，其中电容器包括作为底导电层的经掺杂的多晶硅层，作为介电层的硅化物阻挡(SAB)层，该硅化物阻挡(SAB)层由作为顶导电层的Ti/TiN层覆盖，从而构成单层多晶硅金属－绝缘物－多晶硅(MIP)结构。同时，通过多晶硅层的差分掺杂也在同一个单层多晶硅上形成高薄层rho电阻器。

著录项

公开/公告号CN101083265A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-12-05

原文格式PDF
申请/专利权人万国半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN200710109256.6
发明设计人胡永中;戴嵩山;
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申请日2007-05-25
分类号H01L27/06(20060101);H01L21/822(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人张静洁
地址百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院
入库时间 2023-12-17 19:28:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/06 登记生效日:20180212 变更前: 变更后: 申请日:20070525

专利申请权、专利权的转移
2016-11-02

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/06 登记生效日:20161012 变更前: 变更后: 申请日:20070525

专利申请权、专利权的转移
2010-06-09

授权

授权
2008-01-30

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-12-05

公开

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