自旋势垒增强的双磁致电阻效应元件及使用该元件的磁性存储器

摘要

本发明揭露了一种提供可用于磁性存储器的磁性元件之方法及系统。该磁性元件包括第一被钉扎层、间隔层、自由层、自旋势垒层及第二被钉扎层。该间隔层为非磁性且驻留于该被钉扎层与该自由层之间。当写电流通过该磁性元件时，可使用自旋转移对自由层进行转换。该自由层驻留于该间隔层与自旋势垒层之间。该自旋势垒层在该自由层与第二被钉扎层之间。该自旋势垒层设置成以减少该自由层阻尼常数的外表面贡献量。一方面，该自旋势垒具有高的面电阻且基本消除了自旋激励感应阻尼。另一方面，该磁性元件亦包括该自旋势垒层与自由层之间的自旋累积层。该自旋累积层具有高导电性，且可有长的自旋扩散长度。