首页> 中国专利> 半导体存储器件中的突发读取电路及其突发数据读取方法

半导体存储器件中的突发读取电路及其突发数据读取方法

摘要

提供一种半导体存储器件,其实施消除在系统上的中断负荷的突发读取操作。所述存储器件包括:存储单元阵列、读出放大器、锁存电路以及突发模式控制单元。所述读出放大器被配置成依次读出并放大存储在所述存储单元阵列中的数据。所述锁存电路被配置成响应于转储信号而锁存所述读出放大器组的读出的数据并输出该读出的数据。所述突发模式控制单元被配置成从突发起始地址检测包含在所述读出的数据中的无效数据的长度,并根据该检测结果来控制生成转储信号的时间点,从而仅仅依次输出所述读出的数据中的有效数据。

著录项

  • 公开/公告号CN101022038A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200710005935.9

  • 发明设计人 赵志虎;

    申请日2007-02-15

  • 分类号G11C16/26;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人黄小临

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 18:59:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-11-11

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-08-22

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号