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具有沟道方向中的应力修改和电容减少特征部件的晶体管结构及其方法

摘要

一种晶体管(40)包括具有外围的有源区,该外围具有相反的侧面;以及位于有源区中的源极(44)和漏极(42)。栅极(46)覆盖有源区的沟道区域,该沟道区域分隔源极(44)和漏极(42)。该晶体管(40)进一步包括至少一个应力修改特征部件(54),其自源极侧面或者漏极侧面中的至少一个侧面处的有源区的边缘向沟道区域延伸,但是并不进入沟道区域。该至少一个应力修改特征部件(54)包括电介质。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-06-17

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-09-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-25

    公开

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