公开/公告号CN101006587A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-07-25
原文格式PDF
申请/专利权人 飞思卡尔半导体公司;
申请/专利号CN200580027628.X
申请日2005-07-15
分类号H01L29/76;H01L31/119;H01L29/94;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人穆德骏
地址 美国得克萨斯
入库时间 2023-12-17 18:59:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-06-17
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-25
公开
公开
机译: 在沟道方向上具有应力修正和电容减小特征的晶体管结构及其方法
机译: 以及具有减小的电容并具有沿宽度方向的应力改变的特征的晶体管结构的方法
机译: 在宽度方向上具有应力修正和电容减小特征的晶体管结构及其方法