一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法

摘要

一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法，其特征在于：一束光子能量大于本征半导体禁带宽度的光强周期性调制的连续激光作泵浦光源和另一束光子能量小于本征半导体禁带宽度的连续激光作探测光源；两束光同时照射到掺杂半导体上同一或相邻位置；半导体吸收泵浦光后产生调制的自由载流子；由于调制的自由载流子对探测光的吸收，透过半导体或者从后表面反射的探测光强度也被调制，以锁相方式探测透射或反射的探测光信号的一次谐波振幅和相位，由其振幅和/或相位通过标定得到掺杂半导体的掺杂浓度。本发明具有测量范围大、测量精度和灵敏度高的优点。