使用接触型氮化物镶嵌掩模的局部镶嵌FinFET的制造

摘要

公开了用于使用第一硬掩模图形来限定有源区和第二硬掩模图形来保护有源区之间的部分绝缘区，形成FinFET方法。所得场绝缘结构具有由从通过有源区的表面限定的基准面的垂直偏移区别开的三个不同区域。这三个区域将包括在由镶嵌蚀刻所得的凹陷开口中的下表面、中间表面和横向场绝缘区的剩余部分上的上表面。基准面和中间表面之间的通常对应将导致抑制或者消除在形成栅电极期间该区域中的残留栅电极材料，由此改进相邻有源区之间的电隔离并改进所得半导体器件的性能。