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稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法

摘要

本发明涉及一种稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法,通过冷籽晶法生长高温超导REBCO,采用沉积在单晶基板上的REBCO薄膜作种膜,该薄膜材料在单晶氧化镁基板上的熔化温度比同种REBCO材料的粉末或块材高10K以上且能够保持长时间不熔化。按照REBCO和适量添加RE211来进行组分配料,研磨煅烧多次后,压制成前驱体片并在其顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶,通过熔融织构获得REBCO块体材料。本发明工艺简单,能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1970848A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN200610117888.2

  • 发明设计人 姚忻;汤晨毅;孙立杰;

    申请日2006-11-02

  • 分类号C30B17/00;C30B29/22;C30B29/64;H01B12/00;C04B35/50;C04B35/45;C04B35/622;

  • 代理机构上海交达专利事务所;

  • 代理人毛翠莹

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-12-17 18:37:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-01-28

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-07-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-30

    公开

    公开

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