公开/公告号CN1937174A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-03-28
原文格式PDF
申请/专利权人 E.I.内穆尔杜邦公司;
申请/专利号CN200610105897.X
申请日2006-07-11
分类号H01L21/02;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人徐迅
地址 美国特拉华州
入库时间 2023-12-17 18:21:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 公开日:20070328 申请日:20060711
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-08-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-28
公开
公开
机译: 使用层转移技术制造硅/电介质多层半导体结构的方法,以及使用该方法制造的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器,以及制造三维多层半导体的方法设备和堆叠式图像传感器
机译: 电容性器件,有机介电层压板,结合了此类器件的多层结构及其制造方法
机译: 在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法