一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法，该异质pn结二极管是由n型硅片上生长出的硅纳米线和硅纳米线间的缝隙中填充的p型导电有机物组成。该异质pn结二极管的制备方法是首先用无电金属沉积法在n型硅片上生长出硅纳米线，然后用甩胶方法先后将有机聚合物绝缘层和p型导电有机物填充入纳米线间的空隙形成异质pn结或用甩胶方法直接将p型导电有机物填充入纳米间的空隙线形成异质pn结，最后用溅射或热蒸发制作金属电极。这种新型的异质pn结二极管具有较低的正向开启电压和较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。