公开/公告号CN1909240A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-02-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200510088979.3
申请日2005-08-04
分类号H01L29/201;H01L29/78;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-17 18:12:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-01-28
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-02-07
公开
公开
机译: 镓铟磷高电子迁移率晶体管
机译: 镓-铟-磷高电子迁移率晶体管
机译: LED结构-在势阱结构上具有p =型磷化铝镓铟磷顶盖层,在顶层具有相应的薄膜和厚膜的p =型窗口结构