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以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法

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摘要

本发明公开了以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法，包括：步骤一，形成一ITO薄膜于一GaN基板上；步骤二，形成一SiO

1. 以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法 [P] . 中国专利： CN1885569A . 2006-12-27
2. 以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法 [P] . 中国专利： CN102637786A . 2012-08-15
3. GaN-based LED element electrode and the GaN-based LED element and a process for their preparation. [P] . 日本专利： JP5343860B2 . 2013-11-13

机译： GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
4. ITO GaN LED METHOD FOR DEPOSITING ITO THIN FILM AND GaN-BASED LED CHIP [P] . 韩国专利： KR20160141833A . 2016-12-09

机译：沉积ITO薄膜和GaN基LED芯片的ITO GaN LED方法
5. ELECTRODE FOR GaN-BASED LED DEVICE AND GaN-BASED LED DEVICE USING THE SAME [P] . 日本专利： JP2009094107A . 2009-04-30

机译：基于GaN的LED器件的电极和使用相同的GaN基的LED器件