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金属薄膜芯片制造方法以及金属薄膜芯片制造装置

摘要

为了实现用低成本可以使金属薄膜的大的凹凸平坦化的金属薄膜芯片制造方法及金属薄膜芯片制造装置以及金属薄膜,本发明的金属薄膜芯片制造装置在容器(9)内具有:包含绝缘性基板(3)与加压部件(4)的加压装置(13);芯片设置台(5);加热装置(12),包含线圈(7)和向该线圈(7)供给交流电流的电源(8)。而且,在上述容器(9)中,设有排出该容器(9)内的空气的真空泵(11)。通过上述线圈(7)产生的磁通量,贯通被放置于上述芯片设置台(5)上的金属薄膜芯片(10)中的金属薄膜(1)。若磁通量贯通上述金属薄膜(1),则通过电磁感应,涡电流在该金属薄膜(1)内被感应。金属薄膜(1)通过该涡电流被加热到熔点或接近熔点。再者,由芯片设置台(5)产生的荷重,使绝缘性基板(2)或绝缘性基板(3)表面的轮廓转移到金属薄膜(1)并被平坦化。

著录项

  • 公开/公告号CN1863937A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 独立行政法人科学技术振兴机构;

    申请/专利号CN200480028684.0

  • 发明设计人 隅田泰生;末吉秀一;

    申请日2004-09-29

  • 分类号C23C14/58;C23C16/56;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人董惠石

  • 地址 日本埼玉县

  • 入库时间 2023-12-17 17:55:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-01-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-15

    公开

    公开

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