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运用薄介电质单位电容器的电路

摘要

本发明涉及一种运用薄介电质单位电容器的电路,所述电路包括一个或一个以上电路模块;以及一个或一个以上的去耦模块,耦接该电路模块,其中,每一去耦模块具有一个或一个以上的去耦薄介电质单位电容器,每一去耦薄介电质单位电容器包括:一第一节点,耦接该电路模块的一第一电路连接点;一第二节点,耦接该电路模块的一第二电路连接点;以及二个或二个以上的薄介电质电容器,以串联方式连接于该第一及第二节点之间;其中,在该等薄介电质电容器中,至少一薄介电质电容器的一栅极介电质的厚度小于50。本发明可提供高单位电容值,具有低栅极漏电流以及可调整的时间常数,可实现栅极氧化层的高可靠度。

著录项

  • 公开/公告号CN1851920A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200510066049.8

  • 发明设计人 庄建祥;

    申请日2005-04-22

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;

  • 代理人刘新宇

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

  • 入库时间 2023-12-17 17:51:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-01-28

    发明专利申请公布后的驳回

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2006-12-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-25

    公开

    公开

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