具有提供改善的自由层偏置的Ru/Si基种子层的磁传感器

摘要

本发明涉及一种部分研磨传感器设计的具有新颖的种子层的磁致电阻传感器，当该种子层沉积在晶体结构例如AFM层上时，其允许形成在其上的偏置层具有优异的硬磁属性。该种子层结构包括交替的Ru层和Si层以及形成在其上的CrMo层。该种子层阻断下面的晶体结构的外延生长，允许形成在该种子层上的硬磁材料具有不同于下面晶体层的晶粒结构的所需晶粒结构。该种子层还耐腐蚀，为传感器提供改善的检测电流传导。