正交激励与直流偏置的钴基非晶带弱磁传感器

摘要

通过纵横向正交激励与直流偏置的方式使脉冲电流退火钴基非晶带产生非对称巨磁阻抗(AGMI)效应,与仅使用横向激励方式相比,提高了单边GMI效应,包括:线性量程、阻抗磁灵敏度和最大阻抗变化率.在研究正交激励与直流偏置方式下非晶带特性的基础上,设计了钴基非晶带AGMI效应弱磁传感器并对传感器进行试验标定及数据分析,所得传感器性能指标:量程为-1.0～ 1.0Oe,灵敏度为1.670 4 V/Oe,线性度为1.78％FS.