一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法

摘要

一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法，其制作步骤为：1、电化学过程包括：(1)在衬底上表面淀积掩膜，光刻定义硅片孔的位置；(2)取出清洗，再使用氢氧化钾或四甲基氢氧化铵溶液预腐蚀处理1～3分钟，形成倒四棱台结构时，停止腐蚀；(3)电化学深刻蚀；2、结构保护：对腐蚀出的结构的内壁进行氧化或采用低压化学气相淀积法淀积一层覆盖均匀的保护层；3、背面减薄：背面开窗口，利用KOH或TMAOH腐蚀，直到与刻蚀的深槽结构相遇；4、超声波分离：停止腐蚀，预处理后，在超声波中，上下方向轻轻搅拌实施分离，制得大孔硅微通道。利用本发明所阐述的制作方法制作出的大孔硅微通道，可具有易得高深宽比的优点。