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制备MoO2 粉末的方法、由MoO2粉末制备的产品、MoO2薄膜的沉积以及使用这种材料的方法

摘要

本发明涉及在旋转或舟形炉中,通过使用氢作为还原剂,还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2粉末。将通过压制/烧结、热压和/或HIP进行的粉末固结用来制备圆盘、厚块或板,该圆盘、厚块或板用作溅射靶。使用适宜的溅射方法或其它物理方式将该MoO2圆盘、厚块或板形式溅射在基底上,从而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、导电率、功函数、均匀性以及表面糙度而言,该薄膜具有与氧化铟锡(ITO)和掺锌ITO可比或优于其的性能如电的、光的、表面粗糙度以及均匀性。可将该MoO2和含该MoO2的薄膜用在有机发光二极管(OLED)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发射显示器(FED)、薄膜太阳能电池、低电阻率欧姆接触以及其它电子和半导体器件中。

著录项

  • 公开/公告号CN1826290A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-08-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 H.C.施塔克公司;

    申请/专利号CN200480021192.9

  • 申请日2004-06-29

  • 分类号C01G39/02(20060101);H05B33/14(20060101);H01B1/08(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人范赤;李连涛

  • 地址 美国麻萨诸塞州

  • 入库时间 2023-06-18 16:25:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G39/02 公开日:20060830 申请日:20040629

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-30

    公开

    公开

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