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基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法

摘要

一种基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法,包括如下步骤:采用选择区域生长法将分布反馈激光器与两级联双电吸收调制器在磷化铟衬底上进行单片集成;将分布反馈激光器与两级联双电吸收调制器单片集成器件芯片烧结在导电性能良好的热沉上,引出电极;将烧结在热沉上的芯片焊在测试和校准用金属底板上;将阻抗匹配的微带线焊接在金属底板上;将高频正弦调制信号通过阻抗匹配的微带线加至一电吸收调制器或另一电吸收调制器的高频电极上;为进一步压缩脉冲宽度,将同一高频正弦调制信号通过相位延迟装置加载至两个电吸收调制器的高频电极上。

著录项

  • 公开/公告号CN1779545A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200410094766.7

  • 发明设计人 潘教清;赵谦;王圩;

    申请日2004-11-18

  • 分类号G02F1/37;G02B6/35;H01L21/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 17:16:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-03-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-07-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-31

    公开

    公开

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