首页> 中国专利> 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法

量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法

页面导航

摘要

一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-02-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/39 授权公告日:20120808 终止日期:20121208 申请日:20101208

专利权的终止
2012-08-08

授权

授权
2011-10-05

实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/39 申请日:20101208

实质审查的生效
2011-08-24

公开

公开

1. 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 [P] . 中国专利： CN102162968B . 2012.08.08
2. 光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 [P] . 中国专利： CN1854877A . 2006-11-01
3. Semiconductor electro-absorption optical modulator, semiconductor electro-absorption optical modulator integrated laser, optical transmitter module and optical module [P] . 美国专利： US7409113B2 . 2008-08-05

机译：半导体电吸收光调制器，集成激光器的半导体电吸收光调制器，光发送器模块和光模块
4. Semiconductor electro-absorption optical modulator, semiconductor electro-absorption optical modulator integrated laser, optical transmitter module and optical module [P] . 美国专利： US2005275920A1 . 2005-12-15

机译：半导体电吸收光调制器，集成激光器的半导体电吸收光调制器，光发送器模块和光模块
5. Electroabsorption modulator integrated distributed feedback laser with integrated semiconductor optical amplifier, and driving method for same [P] . 美国专利： US10128632B2 . 2018-11-13

机译：具有集成半导体光放大器的电吸收调制器集成分布式反馈激光器及其驱动方法