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形成多晶硅薄膜的方法,包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜,热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜,在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜,以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜,而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。

著录项

  • 公开/公告号CN1770472A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200410075872.0

  • 申请日2004-11-04

  • 分类号H01L29/786;H01L21/336;H01L21/20;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人封新琴

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 17:12:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-13

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-08-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-10

    公开

    公开

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