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薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序

摘要

本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中,热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃~700℃,同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体,除去附着物。

著录项

  • 公开/公告号CN1763915A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200510112808.X

  • 申请日2005-10-12

  • 分类号H01L21/00;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;C23C16/44;C23C14/22;

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2023-12-17 17:12:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-07

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/00 申请公布日:20060426 申请日:20051012

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-08-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-26

    公开

    公开

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