形成具有粗糙表面的多晶硅的方法

摘要

本发明涉及一种形成具有粗糙表面的多晶硅的方法，它利用化学气相沉积法沉积一个多晶硅层，然后利用刻蚀液对多晶硅表面进行侵蚀，使多晶硅表面产生更大的表面积，或者在化学气相沉积多晶硅层时，同时通入一种含有氧分子的气体，来使多晶硅晶粒表面形成硅氧化物，再利用对该硅氧化物与硅具有高选择比的刻蚀液，对多晶硅表面进行一次刻蚀工艺，以获得一个具有较大表面积的多晶硅。