一种基于密集采样成像算法的光刻制造模拟方法

摘要

本发明公开的基于密集采样成像算法的光刻制造模拟方法，包括重建TCC，频域扩展和利用特性加速计算的步骤，提出了基于密集采样成像算法的光刻制造模拟的计算流程，并采用了全新的加速算法，能够快速计算和预测在集成电路光刻制造过程中硅表面密集格点上光强的分布，从而可以用于检查在图形边缘光强反差度低的区域由于制造过程中工艺参数的随机变化而引起硅表面上产生的掩模上不存在的图形，如“突起”(side－lobes)和“浮渣”(scum)等。