具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构与制造

摘要

本发明公开一种具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构及制作，采用普通硅片(P)制作具有高导电层和过冲电压保护的网络薄膜集成电路，不采用硅外延或外延工艺，并且缩短工艺流程，降低集成电路制造成本。本发明中硼扩散形成的P+ (11)区，既为集成电路的公共接地导电层，又是交叉脂状横向“达通”二极管(D)的“基区”和电容(C)的下电极，磷扩散形成的N+ (22)是横向“达通”二极管的“发射区”。P+区和N+区之间W区是横向“达通”二极管反向偏压时的达通区。采用化学气相沉积法制造出硅片表面上的SiO2和Si3N4绝缘电介质层(31)，它也是电容(C)的电介质层；再在此电介质层上沉积制作电阻(R)(32)和电容(C)(33)的掺磷多晶硅层。金属铝层作为金属化层，光刻后，形成电路内互连线，压点区铝层(43)和接地区(G)的压焊点。沉积掺磷SiO2 (34)形成芯片钝化层，光刻出压焊点(43)和接地点(G)制成芯片。