记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质

摘要

本发明公开了一种记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。记录介质衬底在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜，或者具有这样的基础膜以及形成于其上的无电镀膜。基础膜包含合金，该合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。例如，使用这样的记录介质衬底可以制造记录介质。

说明书

技术领域

本发明涉及可以用于诸如磁盘或光盘之类的记录介质的衬底，并且涉及诸如磁盘或光盘之类的记录介质。

背景技术

对于磁盘和光磁盘，为了提高记录特性，可以靠近记录层提供包含软磁性材料的外加磁场增强层。而且，对于光盘，为了提高读出特性，可以靠近记录层提供具有良好金属光泽的反射层。无电镀可以被用作形成这样的外加磁场增强层或者反射层的方法。例如，在日本专利申请早期公开No.6-243456和日本专利申请早期公开No.2004-152367中描述了通过无电镀形成外加磁场增强层的技术。

例如，当通过无电镀来形成外加磁场增强层或者反射层时，首先，要在其上形成该层的衬底被浸没在规定的酸性水溶液中，由此清洗将作为镀层生长基底的衬底表面(酸洗处理)。进行这样的清洗以将诸如氧化物膜之类的污染物膜从衬底表面去除，使得暴露出在其上容易吸附下面将描述的催化剂的新表面。接着，在水洗之后，衬底被浸没在例如氯化钯水溶液中(催化剂处理)。此水溶液中所含的钯被吸附到衬底表面上，并且在随后的镀层生长开始期间起到催化剂的作用。接着，在水洗之后，衬底被浸没在镀液中(镀浴)。结果，利用衬底表面上的钯充当催化核，无电镀膜生长在衬底表面上。根据要形成的无电镀膜的组分，镀液具有规定的组分。这样，形成了例如作为外加磁场增强层或者反射层的无电镀膜。

利用这样的无电镀方法，在催化剂处理之后被吸附在衬底表面上的催化核的尺寸以及催化核的分布对无电镀膜的质量有很大的影响；理想的状态是具有细微而均一尺寸的催化核以高密度均匀分布在衬底表面上。但是，根据现有技术，依据构成衬底的材料类型及其表面的化学状态，不可能在酸洗处理中充分去除污染物膜，在此情况下，在催化剂处理过程中，催化核将不容易被吸附在残留有污染物膜的地方，因此，催化核在衬底表面上的分布将出现不适当的不均匀性。

如果在衬底表面上的分布存在不适当的不均匀性的状态下，在衬底表面上生长无电镀膜在催化核，则在一些地方将出现构成无电镀膜的镀层粒子的择优生长，即，将形成粗的镀层粒子，因此均匀镀层生长将受妨碍。镀层生长均匀性的丧失将导致无电镀膜生长端面粗糙，以及无电镀膜的膜密度降低。这样，在污染物膜没有通过酸洗处理被充分去除的情况下，膜质量将变差。因为妨碍了提供在记录介质上以实现规定功能的无电镀膜(外加磁场增强膜、反射膜等)有效地表现该功能，并且这可能导致记录介质的记录特性差或者读出特性差，所以膜质量的这种变差是不希望的。

发明内容

在上述的情况下，构思了本发明。

因此，本发明的一个目的是提供一种其上可以形成具有良好膜质量的无电镀膜的记录介质衬底。

本发明的另一个目的是提供一种具有拥有良好膜质量的无电镀膜的记录介质衬底。

本发明的另一个目的是提供一种具有拥有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。

根据本发明的第个方面，提供了一种在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜(或者衬层)的记录介质衬底。此记录介质衬底的基础膜包含合金，所述合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。记录介质衬底是用于构成诸如磁盘或光盘的记录介质的一部分的衬底，而记录介质衬底的基础膜是当在记录介质衬底上形成无电镀膜时充当基础的膜，其中所述无电镀膜被提供在记录介质上以完成规定功能。

当通过无电镀在记录介质衬底上形成无电镀膜时，首先，使酸性水溶液作用于基础膜的表面(酸洗处理)，其中所述基础膜将由于已经形成于其上的诸如氧化物膜的污染物膜而已经变得化学上不均匀。基础膜包含含有Co以及具有比Co更大电离倾向的元素(即，在电化学上比Co更活泼的元素)的合金，或者包含含有Cu以及具有比Cu更大电离倾向的元素(即，在电化学上比Cu更活泼的元素)的合金。所以，在酸洗处理中，在基础膜的基底材料(化学上未污染的结构)的表面上的各位置发生局部原电池反应，并且基底材料中所含的活泼元素(具有比Co或者Cu更大的电离倾向的元素)溶解在酸性溶液中，因此促进了是合金的基础膜基底材料整个表面的溶解。结果，在酸洗处理中，除了酸性水溶液对污染物膜的直接溶解作用之外，还由于通过局部原电池反应在基础膜基底材料表面的溶解，整个基础膜表面即刻均匀地溶解，因此暴露出其上根本没有或者几乎没有保留污染物膜的新基础膜表面。而且，包含在基础膜中的Co或者Cu具有较低的电离倾向(即，电化学上较惰性的(noble))，因此不容易被在酸洗处理中所使用的酸性水溶液溶解。这里，Cu具有比Co更低的电离倾向，因此甚至更不容易被溶解。相反，例如具有比Co更大电离倾向的Fe(II)容易被在酸洗处理中使用的酸性水溶液溶解。结果，如果使酸洗处理中的酸性水溶液作用于包含例如含有Fe(II)和具有比Fe(II)更大电离倾向的元素的合金，则在Fe合金膜中可能产生许多针孔缺陷。这样，包含具有比Co更大电离倾向的诸如Fe(II)的元素以及具有还比该元素更大电离倾向的元素的合金的膜，不适合于作为用于形成无电镀膜的基础膜。

接着，在记录介质衬底上的无电镀膜的形成中，在水洗之后，使催化剂溶液作用于基础膜的表面，这样将催化核(例如钯)吸附到基础膜的表面上(催化剂处理)。此时，因为污染物膜根本不或者几乎不保留在基础膜的表面上，所以催化核在基础膜表面上的分布不会产生不恰当的不均匀性，而且催化核以足够的密度被吸附在基础膜的各个位置。接着，在水洗之后，使具有规定组分的无电镀液作用于基础膜的表面，并因此以被吸附在基础膜表面上的催化核充当基点，在基础膜上生长无电镀膜。此时，因为催化核在基础膜表面上的分布不存在不恰当的不均匀性，所以在构成无电镀膜的镀层粒子处的择优生长被抑制，因此无电镀膜在其整个的范围内均质地生长。而且，因为催化核以足够的密度被吸附在基础膜表面的各处，所以无电镀膜致密地生长。结果，形成了生长端面的粗糙度被抑制而且膜密度的下降被抑制的无电镀膜，即，形成了具有良好膜质量的无电镀膜。

这样，可以在本发明的第一方面的记录介质衬底上形成具有良好膜质量的无电镀膜。无电镀膜的膜质量越高，则可以越有效地表现无电镀膜的规定功能，这就改善记录介质的记录特性和读出特性而言是优选的。

根据本发明的第二方面，提供了一种具有基础膜和形成在所述基础膜上的无电镀膜的记录介质衬底。此记录介质衬底的基础膜包含合金，所述合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。此记录介质衬底是通过在本发明的第一方面的记录介质衬底上形成如上所述的无电镀膜来制造的。此记录介质衬底的无电镀膜因此具有良好的膜质量。

根据本发明的第三方面，提供了一种具有分层结构的记录介质，包括基础膜、形成在所述基础膜上的无电镀膜以及记录层。此记录介质的基础膜包含合金，所述合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。此记录介质是通过在本发明第一方面的记录介质衬底上形成如上所述的无电镀膜，然后进一步形成规定的记录层来制造的。此记录介质的无电镀膜因此具有良好的膜质量。

在本发明的第一到第三方面中，优选地，基础膜的合金中的所述金属元素(Co或Cu)的含量为至少50at％，但小于100at％。Co或者Cu的含量优选在这样的范围，即使得在酸洗处理过程中在基础膜中产生适当的局部原电池反应，同时仍然确保基础膜对酸洗处理中所使用的酸性水溶液的耐受性。

根据本发明的第四个方面，提供了一种在其表面上具有基础膜的记录介质衬底，所述基础膜用于形成无电镀膜。此记录介质衬底的基础膜包含第一层和第二层，所述第二层覆盖第一层并表面暴露。第一层包含合金，所述合金含有选自由Ni、Co和Cu组成的组中的金属元素和选自由P、B、C和S组成的组中的非金属元素。第二层包含合金，所述合金包含选自由Ni、Co和Cu组成的组中的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。该记录介质衬底是用于构成诸如磁盘或光盘的记录介质的一部分的衬底，记录介质衬底的基础膜是当在记录介质衬底上形成无电镀膜时充当基础的膜，其中所述无电镀膜被提供在记录介质上以完成规定功能。此外，当通过无电镀在记录介质衬底上形成无电镀膜时，如前面针对本发明第一方面的记录介质衬底所述的，无电镀膜被生长在进行了酸洗处理和催化剂处理之后的基础膜上。在酸洗处理中，如在本发明第一方面的记录介质衬底中的基础膜表面上发生局部原电池反应一样，在基础膜或者第二层的表面上发生局部原电池反应，因此整个基础膜表面即刻均匀地溶解，于是暴露出其上根本没有或者几乎没有保留污染物膜的新的基础膜表面。

此记录介质衬底的基础膜中的第一层包含选自由NiP、NiB、NiC、NiS、CoP、CoB、CoC、CoS、CuP、CuB、CuC和CuS组成的组中的合金；这些合金在酸洗处理中具有相当高的耐酸性水溶液性。结果，在酸洗处理中，即使针孔缺陷偶然发生在对于酸性水溶液具有较高活性的第二层中，即，即使偶然形成在其厚度方向上穿透第二层的针孔，第一层中由这些针孔所暴露的部分将基本不被酸性水溶液溶解。所以，在催化剂处理中，催化核可以被吸附到第一层表面的在针孔上露出的位置，因此催化核在作为整体的基础膜表面上的分布中不会发生不恰当的不均匀性，而且催化核将以足够的密度被吸附在基础膜表面上的各处。因为催化核在催化剂处理之后的基础膜的表面上的分布中不发生不恰当的不均匀性，而且催化核以足够的密度被吸附在基础膜表面上的各处，所以无电镀膜将均匀和致密地生长在基础膜上。结果，形成了生长端面的粗糙度被抑制而且膜密度的下降被抑制的无电镀膜，即，形成了具有良好膜质量的无电镀膜。这样，可以在本发明第四方面的记录介质衬底上形成具有良好膜质量的无电镀膜。

根据本发明的第五方面，提供了一种具有基础膜、形成在所述基础膜上的无电镀膜的记录介质衬底。此记录介质衬底的基础膜包含第一层和在所述第一层上的第二层。第一层包含合金，所述合金含有选自由Ni、Co和Cu组成的组中的金属元素和选自由P、B、C和S组成的组中的非金属元素。第二层包含合金，所述合金含有选自由Ni、Co和Cu组成的组中的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。此记录介质衬底是通过在本发明第四方面的记录介质衬底上形成无电镀膜来制造的。此记录介质衬底的无电镀膜因此具有良好的膜质量。

根据本发明的第六方面，提供了一种具有分层结构的记录介质，包括基础膜、形成在所述基础膜上的无电镀膜以及记录层。此记录介质的基础膜包含第一层和在所述第一层上的第二层。第一层包含合金，所述合金含有选自由Ni、Co和Cu组成的组中的金属元素和选自由P、B、C和S组成的组中的非金属元素。第二层包含合金，所述合金含有选自由Ni、Co和Cu组成的组中的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。此记录介质是通过在本发明第四方面的记录介质衬底上形成无电镀膜，然后进一步形成规定的记录层来制造的。此记录介质的无电镀膜因此具有良好的膜质量。

在本发明的第四到第六方面中，优选地，第二层的合金中的金属元素的含量为至少50at％，但小于100at％。Ni、Co或者Cu的含量优选在这样的范围，即使得在酸洗处理过程中在基础膜中产生适当的局部原电池反应，同时仍然确保基础膜对耐酸洗处理中所使用的酸性水溶液的耐受性。

附图说明

图1示出了根据本发明第一实施方式的记录介质衬底的一部分的横截面。

图2示出了示出电离倾向的电离序列的示例。

图3示出了利用图1的记录介质衬底所制造的磁盘的分层结构。

图4示出了根据本发明第二实施方式的记录介质衬底的一部分的横截面。

图5示出了利用图4的记录介质衬底所制造的光磁盘的分层结构。

具体实施方式

图1示出了根据本发明第一实施方式的记录介质衬底X1的一部分的横截面。记录介质衬底X1具有衬底11和基础膜12，并被构造成可以用于制造诸如磁盘或光盘的记录介质的盘衬底。

衬底11是保证记录介质的刚性的部分，例如是铝合金衬底、硅衬底、玻璃衬底或者树脂衬底。

基础膜12是当在记录介质衬底X1上形成无电镀膜时充当基础的部分，并且包含这样的合金，该合金含有一种选自Co和Cu的金属元素和比该金属元素具有更大电离倾向的元素。例如，基础膜12包含CoFe合金、CuNi合金等。如图2所示，Fe(II)具有比Co更大的电离倾向，因此在电化学上比Co更活泼(base)，而Ni具有比Cu更大的电离倾向，因此在电化学上比Cu更活泼。此外，在构成基础膜12的合金中的Co或者Cu的含量优选为至少50at％，但是小于100at％。

基础膜12可以例如通过溅射形成在衬底11上。为了在衬底11和基础膜12之间获得良好的粘附，可以在衬底11和基础膜12之间提供接合层(从图中省略了)。在使用Cu作为构成基础膜12的合金的主要材料的情况下，可以使用例如Ti作为构成这样的接合层的材料。

图3示出了磁盘Y1的分层结构，所述磁盘Y1是利用记录介质衬底X1所制造的记录介质的实施例。磁盘Y1具有分层结构，包含记录介质衬底X1、记录层31、软磁性层32、非磁性层33以及保护层44，并且被构造成垂直磁记录型磁盘。

记录层31是垂直磁化的膜，其具有与构成该层的磁性膜平面垂直的易磁化轴，并且是信息被记录于其中的部分。记录层31包括例如具有规定组分的CoCrPt-SiO₂或者TbFeCo。

软磁性层32是外加磁场增强层，用于通过在对磁盘Y1进行记录的过程中增大施加到记录层31的磁场的磁通密度，来提高记录层31的有效记录灵敏度，并且包含通过如下所述的无电镀形成的软磁性镀膜。用于构成软磁性层32的软磁性材料是具有高饱和磁化强度和低矫顽磁力的材料；例如FeCoNi、FeNi或者CoNi可以用作这样的软磁性材料。软磁性层32的厚度例如是0.5到1μm。

非磁性层33用于将记录层31和软磁性层32彼此磁隔离，并且防止软磁性层32的晶格结构当形成记录层31时带来影响。非磁性层33包含诸如Si、C、NiP等的非磁性材料。

保护层34用于保护记录层31免受外界的化学和物理作用，并且包含例如SiN、SiO₂或者类金刚石碳。

在磁盘Y1中，因为靠近记录层31存在具有高饱和磁化强度和低矫顽磁力的软磁性层32，所以在记录过程中，从磁性记录头施加到记录层31的记录磁场的磁通量不会散开而是会集中。由磁性记录头施加到记录层31上的净记录磁场于是大于不存在这样的软磁性层32的情况。净记录磁场越大，可能进行磁性记录的记录层31的矫顽磁力可以越高；通过提高记录层31的设定矫顽磁力，提高了形成在记录层31上的磁性记录标志的热稳定性。因此，由于软磁性层32的存在而引起的净记录磁场的增大对于实现具有拥有高矫顽磁力的记录层的垂直磁记录型磁盘是重要的。

在磁盘Y1的制造中，软磁性层32(软磁性镀膜)通过无电镀被形成在记录介质衬底X1上，然后，非磁性层33、记录层31和保护层34按此次序通过例如溅射被形成在软磁性层32上。

在记录介质衬底X1上形成软磁性层32时，首先，记录介质衬底X1被浸没在酸性水溶液中，由此在基础膜12的表面上进行酸洗处理，其中所述基础膜12将由于已经形成于其上的诸如氧化物膜的污染物膜而已经变得化学上不均匀。例如具有规定浓度的盐酸、硝酸或者硫酸可以用作该酸性水溶液。

因为基础膜12包含含Co以及比Co更活泼的元素的合金，或者含Cu以及比Cu更活泼的元素的合金，所以在酸洗处理中，在基础膜12的基底材料(化学上未污染的结构)表面上的各位置发生局部原电池反应，并且基底材料中所含的活泼元素(具有比Co或者Cu更大电离倾向的元素)溶解在酸性水溶液中，因此促进了是合金的基底材料的整个表面的溶解。结果，在酸洗处理中，除了酸性水溶液对污染物膜的直接溶解作用之外，还由于通过局部原电池反应在基础膜的基底材料的表面的溶解，基础膜12的整个表面即刻均匀地溶解，因此在基础膜12上，暴露出其上根本或者几乎没有保留污染物膜的新表面。为了在酸洗处理过程中在基础膜12中产生适当的局部原电池反应，同时仍然确保基础膜12的耐酸性水溶液性，如前面所述的，在构成基础膜12的合金中的Co或者Cu的含量优选至少为50at％，但小于100at％。而且，包含在基础膜12中的Co或者Cu具有相对低的电离倾向(即，电化学上相对惰性的)，因此比例如Fe(II)(具有比Co或者Cu更大的电离倾向)，更不容易被在酸洗处理中所使用的酸性水溶液溶解。

接着，在形成软磁性层32时，在水洗记录介质衬底X1后，记录介质衬底X1被浸没在催化剂溶液中，于是使催化剂溶液作用于基础膜12的表面，并因此将催化核吸附到基础膜12的表面上。例如具有规定浓度的氯化钯水溶液或者硝酸钯水溶液可以用作催化剂溶液。因为污染物膜根本不或者几乎不保留在基础膜12的表面上，所以催化核在基础膜12表面上的分布不会产生不恰当的不均匀性，而且，催化核以足够的密度被吸附在基础膜12表面上的各处。

接着，在水洗记录介质衬底X1后，记录介质衬底X1被浸没在无电镀液中，由此使无电镀液作用于基础膜12的表面，并因此以催化核充当基点，在基础膜12上生长软磁性镀膜。无电镀液具有与用于构成软磁性层32的软磁性材料相一致的组分。在本步骤中，因为催化核在基础膜12的表面上的分布不存在不恰当的不均匀性，所以在构成软磁性镀膜的镀层粒子处的择优生长被抑制，因此软磁性镀膜在其整个的范围内均质地生长。而且，因为催化核以足够的密度被吸附在基础膜12表面上的各处，所以软磁性镀膜致密地生长。所以，形成了生长端面的粗糙度被抑制而且膜密度的下降被抑制的软磁性层32，即，形成了具有良好膜质量的软磁性层32。

这样，可以在记录介质衬底X1上形成具有良好膜质量的软磁性层32(无电镀膜)。软磁性层32的膜质量越高，软磁性层32可以显示越有效的外加磁场增强功能，这就改善磁盘Y1的记录特性而言是优选的。

图4示出了根据本发明的第二实施方式的记录介质衬底X2的一部分的横截面。记录介质衬底X2具有衬底21和基础膜22(或者衬层)，并被构造为可以用于制造诸如磁盘或光盘的记录介质的盘衬底。

衬底21是保证记录介质的刚性的部分，例如是铝合金衬底、硅衬底、玻璃衬底或者树脂衬底。基础膜22是当在记录介质衬底X2上形成无电镀膜时充当基础的部分，并且包含第一层22a和第二层22b。

第一层22a包含这样的合金，该合金含有选自Ni、Co和Cu组成的组中的金属元素和选自由P、B、C和S组成的组中的非金属元素元素。例如，第一层22a包含NiP合金、CoB合金等。而且，在第一层22a中金属元素(Ni、Co或Cu)的含量优选为60到95at％。也就是说，在第一层22a中非金属元素(P、B、C或S)的含量优选为5到40at％。如果非金属元素的含量小于5at％，则第一层22a将趋向于在下述酸洗处理中不具有足够的耐酸性水溶液性，而如果非金属元素的含量超过40at％，则第一层22a将趋向于变脆和断裂。

第二层22b包含这样的合金，该合金含有选自由Ni、Co和Cu组成的组中的金属元素和比该金属元素具有更大电离倾向的元素。例如，第二层22b包含NiFe合金、CoFe合金、CuNi合金等。如图2所示，Fe(II)具有比Ni和Co更大的电离倾向，因此在电化学上比Ni和Co更活泼，而Ni具有比Cu更大的电离倾向，因此在电化学上比Cu更活泼。此外，在第二层22b中，Ni、Co或Cu的含量优选为至少50at％，但小于100at％。

基础膜22可以由通过例如溅射在衬底21上依次形成第一层22a和第二层22b来形成。为了在衬底21和第一层22a之间获得良好的粘附，可以在衬底21和第一层22a之间提供接合层(从图中省略了)。此外，为了在第一层22a和第二层22b之间获得良好的粘附，可以在第一层22a和第二层22b之间提供接合层(从图中省略了)。在使用Cu作为构成第一层22a或者第二层22b的合金的主要材料的情况下，可以使用例如Ni或者Co作为构成这样的接合层的材料。

图5示出了光磁盘Y2的分层结构，所述光磁盘Y2是利用记录介质衬底X2所制造的记录介质的一个实施例。光磁盘Y2包含记录介质衬底X2、记录磁性部分41、软磁性层42、预制沟槽层43、散热层44、电介质层45和46以及保护层47，并且被构造成可重写前发光型(rewritablefront illumination type)光磁盘，该光磁盘具有利用磁光效应的热磁记录和读出两个功能。

记录磁性部分41具有包含一个磁性膜或者多个磁性膜的磁性结构，并且是其中记录信息的部分，其中所述磁性膜能够具有利用磁光效应的热磁记录和读出两个功能。记录磁性部分41包含例如具有记录和读出两个功能的单个记录层。或者，记录磁性部分41可以具有两层结构，所述两层结构包含拥有较高矫顽磁力并具有记录功能的记录层，以及拥有对于读出激光的较大Kerr旋转角并具有读出功能的读出层。或者，记录磁性部分41可以具有三层结构，包括记录层、读出层和位于它们之间的中间层，用于实现MSR格式、MAMMOS格式或者DWDD格式。在可以适用于记录磁性部分41的各个结构中的各种层的每个包含稀土元素和过渡金属之间的非晶体合金，并且是具有垂直磁性各向异性并在垂直方向上磁化的垂直磁化膜。具体地，记录层包含例如具有规定组分的TbFeCo、DyFeCo或者TbDyFeCo。在设置有记录层的情况下，记录层包含例如具有规定组分的GdFeCo、GdDyFeCo、GdTbDyFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCo或者PrDyFeCo。在设置有中间层的情况下，中间层包含例如具有规定组分的GdFe、TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo、GdTbDyFeCo、NdDyFeCo、NdGdFeCo或者PrDyFeCo。

软磁性层42是外加磁场增强层，用于通过在对磁盘Y2进行记录的过程中增大施加到记录磁性部分41的磁场的磁通密度，来提高记录磁性部分41的有效记录灵敏度，并且含有通过无电镀形成的软磁性镀膜。例如FeCoNi、FeNi或者CoNi可以用作用于构成软磁性层42的软磁性材料。软磁性层42的厚度例如是0.5到5μm。

预制沟槽层43包含树脂材料，并在其接触散热层44的表面中形成有螺旋或者同心圆形预制沟槽(从图中省略)。基于这些预制沟槽，在光磁盘Y2上实现了岸沟(land-groove)方式。例如丙烯酸树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环氧树脂或者聚烯烃树脂可以被用作构成预制沟槽层43的树脂材料。

散热层44是这样的部分，该部分用于在激光照射到光磁盘Y2的过程中高效地将在记录磁性部分41等中产生的热传导到记录介质衬底X2或者衬底21上，并且包括例如具有高导热性的材料，诸如Ag、Ag合金(AgPdCuSi、AgPdCu等)、铝合金(AlTi、AlCr等)、Au或者Pt。

电介质层45和46是这样的部分，这些部分用于防止或者抑制来自外部的对于记录磁性部分41的磁影响、化学影响等，并且包含例如SiN、SiO₂、YSiO₂、ZnSiO₂、AlO或者AlN。此外，电介质层46还可以具有增大在在保护膜47一侧的记录磁性部分41表面处的反射光的表观Kerr旋转角的功能。

保护膜47覆盖记录磁性部分41，以保护记录磁性部分41免受灰尘等的影响，并且保护膜47包含对于记录激光和读出激光具有足够透明度的树脂材料。

在光磁盘Y2中，因为靠近记录磁性部分41存在具有高饱和磁化强度和低矫顽磁力的软磁性层42，所以在记录过程中，由磁性记录头施加到记录磁性部分41或者包含于其中的记录层上的记录磁场的磁通量不会散开而是会集中在记录磁性部分41或者记录层中。记录磁性部分41或者记录层的有效记录灵敏度于是大于不存在这样的软磁性层42的情况。记录磁性部分41或者记录层的记录灵敏度的提高使得能够减小由磁性记录头施加的磁场，而这样的外加磁场的减小使得能够以更高频率进行记录，即使得能够合理地实现高速记录。这种记录速度的增大在实现具有高记录密度的光磁记录介质中是重要的。此外，外加磁场越小，产生磁场所需的电流越小，则就减小记录过程中的功耗而言是理想的。

在光磁盘Y2的制造中，首先，软磁性层42(软磁性镀膜)通过无电镀被形成在记录介质衬底X2上。接着，预制沟槽层43通过例如所谓的2P法被形成在软磁性层42上。接着，散热层44、电介质层45、记录磁性部分41和电介质层46按此次序通过例如溅射被形成在预制沟槽层43上。此后，保护膜47通过例如旋涂被形成在电介质层46上。

在记录介质衬底X2上形成软磁性层42时，如前面针对记录介质衬底X1上的软磁性层32的形成所述的，进行酸洗处理和催化剂处理，然后软磁性层42(软磁性镀膜)生长在基础膜22上或者第二层22b上。在酸洗处理中，在第二层22b的表面上发生局部原电池反应，于是基础膜12的整个表面即刻均匀地溶解，因此暴露出其上根本没有或者几乎没有保留污染物膜的基础膜12新表面。

在记录介质衬底X2的基础膜22中的第一层22a包含选自由NiP、NiB、NiC、NiS、CoP、CoB、CoC、CoS、CuP、CuB、CuC和CuS组成的组中的合金；这些合金在酸洗处理中具有相当高的耐酸性水溶液性。结果，在酸洗处理中，即使针孔缺陷偶然发生在对于酸性水溶液具有较高活性的第二层22b中，即，即使偶然形成了在其厚度方向上穿透第二层22b的针孔，第一层22a由这些针孔所暴露的部分将基本不被酸性水溶液溶解。结果，在催化剂处理中，催化核可以被吸附到第一层22a表面的在针孔上露面的位置，因此在催化核在作为整体的基础膜22表面上的分布中不会发生不恰当的不均匀性，而且催化核将以足够的密度被吸附在基础膜22表面上的各处。因为在催化剂处理之后，催化核在基础膜22表面上的分布不发生不恰当的不均匀性，而且催化核以足够的密度被吸附在基础膜22表面上的各处，所以软磁性镀膜将均匀且致密地生长在基础膜22上。结果，形成了生长端面的粗糙度被抑制而且膜密度的下降被抑制的软磁性层42，即，形成了具有良好膜质量的软磁性层42。这样，可以在记录介质衬底X2上形成具有良好膜质量的软磁性层42(无电镀膜)。软磁性层42的膜质量越高，软磁性层42可以显示越有效的外加磁场增强功能，这就改善光磁盘Y2的记录特性而言是优选的。

接着，将连同对比实施例描述本发明的各种实施例。

[实施例1]

制造本实施例的40个记录介质衬底，作为具有前面针对记录介质衬底X1所述的结构之一的衬底。在本实施例的每一个记录介质衬底的制造中，Ni₈₀Fe₂₀通过溅射被沉积在玻璃盘衬底(直径90mm，厚度1.2mm)上，由此形成了作为基础膜的厚度为30nm的NiFe层。在此溅射中，使用NiFe合金靶(直径6英寸)。此外，在溅射中，Ar气体被用作溅射气体，溅射气体压力被设为0.5Pa，放电功率被设为1.0kW。在此后所描述的其他实施例中也使用相同的溅射条件。本实施例的记录介质衬底的具体组成，连同其他实施例的记录介质衬底的具体组成，被示于表1到表4中。

[实施例2]

制造本实施例的40个记录介质衬底，作为根据记录介质衬底X1的衬底。在本实施例的每一个记录介质衬底的制造中，Co₈₀Fe₂₀通过溅射被沉积在玻璃盘衬底(直径90mm，厚度1.2mm)上，由此形成了作为基础膜的厚度为30nm的CoFe层。在此溅射中，使用CoFe合金靶(直径6英寸)。

[实施例3]

制造本实施例的40个记录介质衬底，作为根据记录介质衬底X1的衬底。在本实施例的每一个记录介质衬底的制造中，首先，Ti通过溅射被沉积在玻璃盘衬底(直径90mm，厚度1.2mm)上，由此形成了作为接合层的厚度为5nm的Ti层。在此溅射中，使用Ti靶(直径6英寸)。接着，Cu₈₅Ni₁₅通过溅射被沉积，由此形成了作为基础膜的厚度为30nm的CuNi层。在此溅射中，使用CuNi合金靶(直径6英寸)。

[实施例4]

制造本实施例的40个记录介质衬底，作为具有前面针对记录介质衬底X2所述的结构之一的衬底。在本实施例的每一个记录介质衬底的制造中，首先，Ni₈₈P₁₂通过溅射被沉积在玻璃盘衬底(直径90mm，厚度1.2mm)上，由此形成了作为基础膜的第一层的厚度为30nm的NiP层。在此溅射中，使用NiP合金靶(直径6英寸)。接着，Ni₈₀Fe₂₀通过溅射被沉积在NiP层上，由此形成了作为基础膜的第二层的厚度为30nm的NiFe层。形成此NiFe层的具体方法和在实施例1中形成NiFe层(基础膜)的方法一样。这样，在每一个玻璃盘衬底上形成包含NiP层(第一层)和NiFe层(第二层)的基础膜。

[实施例5]

制造本实施例的40个记录介质衬底，作为根据记录介质衬底X2的衬底。在本实施例的每一个记录介质衬底的制造中，首先，如实施例4，厚度为30nm的NiP层(第一层)通过溅射形成在玻璃盘衬底上。接着，Co₈₀Fe₂₀通过溅射被沉积在NiP层上，由此形成了作为基础膜的第二层的厚度为30nm的CoFe层。形成此CoFe层的具体方法和在实施例2中形成CoFe层(基础膜)的方法一样。这样，在每一个玻璃盘衬底上形成包含NiP层(第一层)和CoFe层(第二层)的基础膜。

[实施例6]

制造本实施例的40个记录介质衬底，作为根据记录介质衬底X2的衬底。在本实施例的每一个记录介质衬底的制造中，首先，如实施例4，厚度为30nm的NiP层(第一层)通过溅射形成在玻璃盘衬底上。接着，Ni通过溅射被沉积在NiP层上，由此形成作为接合层的厚度为5nm的Ni层。接着，Cu₈₅Ni₁₅通过溅射被沉积在Ni层上，由此形成了作为基础膜的第二层的厚度为30nm的CuNi层。在此实施例中形成Ni层和CuNi层的具体方法和在实施例3中形成Ti层(接合层)和CuNi层(基础膜)的方法一样，除了在形成Ni层中使用Ni靶代替Ti靶之外。这样，在每一个玻璃盘衬底上形成包含NiP层(第一层)、Ni层(接合层)和CuNi层(第二层)的基础膜。

[实施例7]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成NiB层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在NiB层的形成中，Ni₈₅B₁₅通过溅射被沉积在每个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用包含其上放置有12个B芯片(10mm²)的Ni靶(直径6英寸)的复合靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含NiB层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。本实施例的记录介质衬底的具体分层结构，连同下述的实施例8到17的记录介质衬底的具体分层结构，被示于表4中。

[实施例8]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成NiC层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在NiC层的形成中，Ni₈₅C₁₅通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用包含其上放置有12个C芯片(10mm²)的Ni靶(直径6英寸)的复合靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含NiC层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例9]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成NiS层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在NiS层的形成中，Ni₈₈S₁₂通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用NiS合金靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含NiS层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例10]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CoP层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CoP层的形成中，Co₉₀P₁₀通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用CoP合金靶(直径6英寸)。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CoP层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例11]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CoB层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CoB层的形成中，Co₈₅B₁₅通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用包含其上放置有12个B芯片(10mm²)的Co靶(直径6英寸)的复合靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CoB层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例12]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CoC层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CoC层的形成中，Co₈₅C₁₅通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用包含其上放置有12个C芯片(10mm²)的Co靶(直径6英寸)的复合靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CoC层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例13]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CoS层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CoP层的形成中，Co₉₀S₁₀通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用CoS合金靶(直径6英寸)。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CoS层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例14]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CuP层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CuP层的形成中，Cu₈₈P₁₂通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用CuP合金靶(直径6英寸)。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CuP层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例15]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CuB层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CuB层的形成中，Cu₉₀B₁₀通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用包含其上放置有12个B芯片(10mm²)的Cu靶(直径6英寸)的复合靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CuB层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例16]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CuC层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CuC层的形成中，Cu₉₀C₁₀通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用包含其上放置有12个C芯片(10mm²)的Cu靶(直径6英寸)的复合靶。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CuC层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[实施例17]

如在实施例4中一样制造20个本实施例的记录介质衬底，除了形成CuS层(厚度30nm)代替NiP作为第一层之外。在CuS层的形成中，Cu₈₈S₁₂通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。在此溅射中，使用CuS合金靶(直径6英寸)。本实施例的记录介质衬底中的每一个在玻璃盘衬底上具有包含CuS层(第一层)和NiFe(第二层)的基础膜。

[对比实施例1]

如在实施例1中一样制造40个本对比实施例的记录介质衬底，除了形成NiP层(厚度30nm)代替NiFe层作为基础膜之外。在NiP的形成中，如在实施例4中形成NiP层一样，Ni₈₈P₁₂通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。此对比实施例的记录介质衬底的具体组成，连同对比实施例2和3的记录介质衬底的具体组成，被示于表1到3中。

[对比实施例2]

如在实施例1中一样制造40个本对比实施例的记录介质衬底，除了形成CoP层(厚度30nm)代替NiFe层作为基础膜之外。在CoP的形成中，如在实施例10中形成CoP层一样，Co₉₀P₁₀通过溅射被沉积在每一个玻璃盘衬底上。

[对比实施例3]

如在实施例1中一样制造40个本对比实施例的记录介质衬底，除了代替NiFe层，形成Ti层(厚度5nm)作为接合层和CuPt层(厚度30nm)作为其上的基础膜之外。形成Ti层的具体方法和在实施例3中形成Ti层的方法一样。在CuPt的形成中，Cu₈₅Pt₁₅通过溅射被沉积在Ti层(接合层)上。在此溅射中，使用CuPt合金靶(直径6英寸)。

[无电镀膜的形成]

在实施例1到17和对比实施例1到3的记录介质衬底的每一个的基础膜上通过无电镀形成无电镀膜。对于实施例1到6和对比实施例1到3中的每一个的20个记录介质衬底，形成厚度为300nm的无电镀膜，对于实施例1到6和对比实施例1到3中的每一个的另外20个记录介质衬底，以及对于实施例7到17中的每一个的20个记录介质衬底，形成厚度为1000nm的无电镀膜。

在每一个记录介质衬底的基础膜上的无电镀膜的形成中，首先，对记录介质衬底的基础膜的表面进行酸洗处理。具体地，将记录介质衬底在作为酸性水溶液的5vol％盐酸(室温)中浸没15到30秒。接着，在室温下利用流动水将记录介质衬底冲洗30到60秒。接着，对记录介质衬底的基础膜表面进行催化剂处理。具体地，将记录介质衬底在作为催化剂溶液的0.25g/dm³的氯化钯水溶液(室温)中浸没15到30秒。接着，在室温下利用流动水将记录介质衬底冲洗30到60秒。接着，在基础膜上生长CoFeNi膜(无电镀膜)。具体地，将记录介质衬底在无电镀液(65℃，pH9)中浸没5分钟(厚度300nm)或者15分钟(厚度1000nm)。所使用的无电镀液包含0.025mol/dm³的二甲氨硼烷(DMAB)、0.05mol/dm³的柠檬酸三钠、0.20mol/dm³的酒石酸钠、0.20mol/dm³的硫酸铵、0.06mol/dm³的磷酸、0.01mol/dm³的硫酸铁、0.01mol/dm³的硫酸镍和0.09mol/dm³的硫酸钴。这样的CoFeNi是软磁性材料。接着，在室温下用流动的水将无电镀膜处理的记录介质衬底冲洗60到120秒。此后，衬底被干燥。这样，CoFeNi膜(无电镀膜)被形成在每一个记录介质衬底的基础膜上。

[表面观察]

对于形成在实施例1到6和对比实施例1到3的全部360个记录介质衬底的每一个上的无电镀膜，通过视觉观察来研究膜表面的混浊状态。结果被示于表1中。镀膜的生长越均匀，并且镀膜的生长越致密(即，构成镀膜的镀层粒子的取向状态越致密)，则镀膜表面的粗糙度越低，因此镀膜的表面越不易于变得混浊。另一方面，镀膜的生长越不均匀，并且镀膜的生长越粗糙(即，构成镀膜的镀层粒子的取向状态越粗糙)，则镀膜表面的粗糙度越大，因此镀膜的表面越易于变得混浊。于是，混浊的出现/不出现及其程度可以在判断镀膜表面的粗糙度程度和镀膜的膜质量中用作指标。

对于对比实施例1和2的所有记录介质衬底，无电镀膜是部分混浊的。就是说，对于这些无电镀膜，在表面上发现有混浊的地方。另一方面，对于对比实施例3的其上形成有300nm厚无电镀膜的记录介质衬底中的5个记录介质衬底，无电镀膜是部分混浊的，对于对比实施例3的其上形成有1000nm厚无电镀膜的记录介质衬底中的17个记录介质衬底，无电镀膜是部分混浊的。而且，对于对比实施例1到3的记录介质衬底，往往是对于1000nm无电镀膜厚度的混浊程度大于300nm无电镀膜厚度的。依据无电镀膜厚度的差异而在混浊程度中产生这样的差异的原因，或者如对于对比实施例3的记录介质衬底所看到的依据无电镀膜厚度的差异而在发生混浊的趋势中产生差异的原因是：无电镀膜越厚，则在无电镀膜中出现的粗粒子的粒子直径越大，因此膜表面越粗糙。

与上述的相反，对于实施例1到6的所有记录介质衬底，在无电镀膜的表面上没有混浊的地方，而不管无电镀膜的厚度是300nm还是1000nm。从上面可以看出，与对比实施例1到3的记录介质衬底相比，对于根据本发明实施例1到6的记录介质衬底可以形成具有更低表面粗糙度的无电镀膜。此外，可以看出，对于实施例1到6的记录介质衬底，即使无电镀膜的厚度高达1000nm，也可以形成具有低表面粗糙度的无电镀膜。

[切割横截面SEM观察]

对于实施例1到6和对比实施例1到3的全部360个记录介质衬底中的每一个上所形成的无电镀膜，利用扫描电子显微镜(SEM)观察切割横截面。结果被示于表2中。在实施例1到6的所有记录介质衬底上形成的无电镀膜的膜结构是细微和致密的。另一方面，对于在对比实施例1到3的所有记录介质衬底上形成的无电镀膜，出现了粗的粒子，而粗粒子的粒子直径往往是厚度为1000nm的无电镀膜的大于厚度300nm的。在镀膜中出现粗粒子是由于在通过无电镀形成无电镀膜的工艺过程中，钯催化核在催化剂处理中被不均匀地吸附在基础膜的表面上造成的。从上面可以看出，与对比实施例1到3的记录介质衬底相比，对于根据本发明的实施例1到6的记录介质衬底可以更容易地形成具有细微、致密膜结构的无电镀膜。

[饱和磁通密度测量]

对于实施例1到6和对比实施例1到3的全部360个记录介质衬底中的每一个上所形成的无电镀膜，利用振动样品磁力计(VSM)测量饱和磁通密度。结果被示于表3中。镀膜的膜质量越粗糙(即，镀膜的膜密度越低)，则与镀膜的有效体积相比的镀膜的表观体积(＝膜面积×膜厚度)越大，因此在从“测得磁化强度÷表观体积”计算饱和磁通密度的情况下，饱和磁通密度的值越小。于是，饱和磁通密度的值(＝测得磁化强度÷表观体积)可以被用作镀膜的膜密度的指标。

在实施例1到6的记录介质衬底上形成的所有无电镀膜表现出较高的饱和磁通密度。另一方面，在对比实施例1到3的记录介质衬底上形成的所有无电镀膜表现出较低的饱和磁通密度。而且，与在对比实施例1到3的记录介质衬底上形成的1000nm厚的无电镀膜相比，在对比实施例1到3的记录介质衬底上形成的300nm厚的无电镀膜表现出更低的饱和磁通密度。这是因为无电镀膜在镀层生长的起始端和靠近起始端的膜结构容易变粗糙。从上面可以看出，与对比实施例1到3的记录介质衬底相比，对于根据本发明的实施例1到6的记录介质衬底可以形成具有更致密膜结构和更高膜密度的无电镀膜。此外，可以看出，对于实施例1到6的记录介质衬底，即使无电镀膜的厚度低至300nm，也可以形成具有致密膜结构和高膜密度的无电镀膜。

[针孔缺陷计数]

对于在实施例1到17每个的20个记录介质衬底中的每一个上形成的无电镀膜，通过视觉观察对针孔缺陷进行计数，并且对于每一个实施例，计算出在单个记录介质衬底上在无电镀膜中出现的针孔缺陷的平均数量。结果被示于表4中。在针孔已经被形成在基础膜中的情况下，在镀膜中出现针孔缺陷，因此，在基础膜中所形成的针孔数量越低，则在形成于基础膜上的镀膜中的针孔缺陷的数量越低。

与形成在实施例1到3的记录介质衬底上的无电镀膜相比，在形成在实施例4到17的记录介质衬底上的无电镀膜中较不容易出现针孔缺陷。在实施例4到17每个的记录介质衬底的基础膜中的第一层包含NiP、NiB、NiC、NiS、CoP、CoB、CoC、CoS、CuP、CuB、CuC或者CuS，这些合金在酸洗处理中具有相当高的耐酸性水溶液性。结果，在酸洗处理中，即使在对于酸性水溶液具有较高活性的第二层中形成穿透第二层的针孔，第一层中被这些针孔暴露的部分也基本不会被酸性水溶液溶解。就是说，由于第一层的存在，抑制了穿透基础膜的针孔的产生。相信在催化剂处理中，催化核也可以被吸附到第一层表面上在穿透第二层的针孔上露出的位置，由此抑制了在利用催化核作为基点进行生长的无电镀膜中的针孔的形成。从上面可以看出，根据具有拥有多层结构(第一层和第二层)的基础膜的实施例4到17的记录介质衬底，可以形成针孔缺陷很少的无电镀膜。

本发明被如此进行了描述，但是很明显，本发明可以以许多方式进行变化。这样的变化被认为是从本发明的精神和范围出发的，如对于本领域技术人员将是明显的，所有这样的变化将被包括在所附权利要求的范围中。

                                     表1

                       对实施例1到6和对比实施例1到3的

                       记录介质衬底上的无电镀膜的表面观察

  记录介质衬底  基础膜的组成               观察结果  镀膜厚度300nm  镀膜厚度1000nm  实施例1  NiFe  无混浊  无混浊  实施例2  CoFe  无混浊  无混浊  实施例3  Ti/CuNi  无混浊  无混浊  实施例4  NiP/NiFe  无混浊  无混浊  实施例5  NiP/CoFe  无混浊  无混浊  实施例6  NiP/Ni/CuNi  无混浊  无混浊  对比实施例1  NiP  部分混浊(20/20)  部分混浊(20/20)  对比实施例2  CoP  部分混浊(20/20)  部分混浊(20/20)  对比实施例3  Ti/CuPt  部分混浊(5/20)  部分混浊(17/20)

                                       表2

                       对实施例1到6和对比实施例1到3的记录介

                       质衬底上的无电镀膜的切割横截面SEM观察

  记录介质衬底  基础膜的组成  观察结果  镀膜厚度300nm  镀膜厚度1000nm  实施例1  NiFe  细微、致密的膜结构  细微、致密的膜结构  实施例2  CoFe  细微、致密的膜结构  细微、致密的膜结构  实施例3  Ti/CuNi  细微、致密的膜结构  细微、致密的膜结构  实施例4  NiP/NiFe  细微、致密的膜结构  细微、致密的膜结构  实施例5  NiP/CoFe  细微、致密的膜结构  细微、致密的膜结构  实施例6  NiP/Ni/CuNi  细微、致密的膜结构  细微、致密的膜结构  对比实施例1  NiP  存在粗粒子  存在粗粒子  对比实施例2  CoP  存在粗粒子  存在粗粒子  对比实施例3  Ti/CuPt  存在粗粒子  存在粗粒子

                               表3

              对于实施例1到6和对比实施例1到3的

              记录介质衬底上的无电镀膜的饱和磁通密度

  记录介质衬底  基础膜的组成  饱和磁通密度(千高斯)  镀膜厚度300nm  镀膜厚度1000nm  实施例1  NiFe  17  17  实施例2  CoFe  17  17  实施例3  Ti/CuNi  17  17  实施例4  NiP/NiFe  17  17  实施例5  NiP/CoFe  17  17  实施例6  NiP/Ni/CuNi  17  17  对比实施例1  NiP  12-13  16  对比实施例2  CoP  12-13  16  对比实施例3  Ti/CuPt  12-13  16

                                   表4

          实施例1到17的记录介质衬底上的无电镀膜中的针孔缺陷数量

  记录介质衬底  基础膜的组成          针孔缺陷的平均数量  镀膜厚度300nm  镀膜厚度1000nm  实施例1  NiFe  17.0  15.6  实施例2  CoFe  15.8  16.2  实施例3  Ti/CuNi  15.0  14.6  实施例4  NiP/NiFe  2.0  2.1  实施例5  NiP/CoFe  2.1  2.0  实施例6  NiP/Ni/CuNi  2.1  2.4  实施例7  NiB/NiFe  -  1.9  实施例8  NiC/NiFe  -  1.9  实施例9  NiS/NiFe  -  2.2  实施例10  CoP/NiFe  -  1.9  实施例11  CoB/NiFe  -  2.0  实施例12  CoC/NiFe  -  2.5  实施例13  CoS/NiFe  -  2.0  实施例14  CuP/NiFe  -  2.2  实施例15  CuB/NiFe  -  2.1  实施例16  CuC/NiFe  -  2.4  实施例17  CuS/NiFe  -  2.4