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记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质

摘要

本发明公开了一种记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。记录介质衬底在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜,或者具有这样的基础膜以及形成于其上的无电镀膜。基础膜包含合金,该合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。例如,使用这样的记录介质衬底可以制造记录介质。

著录项

  • 公开/公告号CN1725302B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200410091331.7

  • 发明设计人 川野浩康;马田孝博;守部峰生;

    申请日2004-11-19

  • 分类号

  • 代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵飞

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/66 授权公告日:20100428 终止日期:20111119 申请日:20041119

    专利权的终止

  • 2010-05-12

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G11B 5/66 变更前: 变更后: 登记生效日:20100401 申请日:20041119

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-04-28

    授权

    授权

  • 2006-03-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-25

    公开

    公开

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