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具有用于改进的读出的适配磁畴形状的磁畴扩展ROM介质

摘要

本发明涉及一种具有改良的读出性能的磁畴扩展存储介质和制造方法。该存储介质的基板和/或它的存储层被处理,以定义适配于热读取剖面的前部的磁畴的预定形状。具体地说,定义在轨道方向上翻转的反向月牙形磁畴。这改良了分辨率和抖动值。

著录项

  • 公开/公告号CN1711602A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 皇家飞利浦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200380103309.3

  • 发明设计人 C·A·维斯楚伦;F·滋普;

    申请日2003-10-21

  • 分类号G11B11/105;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨生平

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2023-12-17 16:50:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-07-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-12-21

    公开

    公开

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