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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法

摘要

本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯,主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分,其中箱体用来盛装电解液,侧盖与盲板用来固定工作电极,上盖用来导入铂辅助电极、参比电极以及氮气管。采用三电极的电化学体系,该三电极分别是辅助电极、参比电极、工作电极。电化学腐蚀工艺方法包括如下步骤:(A)磷化铟基片解理好后,采用超声或煮沸方法清洗;(B)然后去除磷化铟基片表面的氧化层;(C)再进行电化学池的安装;(D)之后通氮气15分钟;(E)最后施加电压进行腐蚀。本发明适用于多孔磷化铟或砷化镓阵列等多孔半导体材料的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN1713357A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200410049950.X

  • 申请日2004-06-21

  • 分类号H01L21/306;H01L21/30;H01L21/00;H01L33/00;

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 16:50:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-19

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-01-23

    授权

    授权

  • 2006-02-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-28

    公开

    公开

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