用于在内存阵列的特定行附近界定备用范围的方法及系统

摘要

本发明说明了一种内存备用方法(600)及实施该方法的一系统(100)。一内存阵列通常包含多条行(例如位线)的内存单元。识别该内存阵列的一特定(例如有缺陷的)行(步骤610)。选择其中包含该有缺陷的行的一组相邻行，而界定一备用范围(410)(步骤620)。该组所选择的行中的行数可于耦合到该内存阵列的一备用阵列(110)中的行数。该备用阵列是用来存储已由另行存储在该备用范围中的内存单元的信息。该组的选择方式为使在该有缺陷的行的一端上有至少一行且在该有缺陷的行的另一端上有至少另一行。该有缺陷的行的每一端上通常将有多个行。这些行中的内存单元被烧录(步骤630)。

说明书

技术领域

本发明大致有关内存阵列。更具体而言，本发明有关一种内存备用机制。

背景技术

典型内存阵列的架构是此项技术中现有的。一般而言，一内存阵列包含配置成若干列及行的一些线。通常将该阵列的该等列称为字线，并将该等行称为位线。

字线及位线在可称为节点的点上重叠。内存单元是位于每一节点上，或位于接近每一节点处，而内存单元通常是某一类型的晶体管。在一虚拟接地(virtual ground)架构中，可根据是在对内存单元进行烧录验证或读取，而将一位线用来作为该晶体管(内存单元)的一源极或漏极线。为了简化讨论，“读取”可意指一读取作业或一烧录验证作业。

先前技术的图1标出了一内存阵列(5)的一部分。为了简化附图，只示出内存阵列(5)的各行位线。此外，只示出了内存阵列(5)的两个区块(区块0及区块1)；我们当了解，一传统的内存阵列中通常有两个以上的区块。可将这些组的区块称为输入/输出(I/O)区块，或简单地称为“I/O”。一般而言，一I/O包含耦合到(例如，被选通到)单一I/O垫或埠的某一数目的行。在一种类型的传统内存阵列中，每一区块或I/O有32行(N＝32)。

请注意，先前技术的图1所示的该等行是“金属-2(metal-2)”位线。每一metal-2位线是与两条“金属-1(metal-1)”位线相关联。例如，当N＝32时，对于每一I/O共有64条metal-1位线，且内存阵列(5)可在每一I/O的每一字线中存储64位的信息。诸如metal-1位线及metal-2位线等术语的使用是此项技术中现有的。

当读取所选择的一内存单元时，是将核心电压施加到与该内存单元对应的字线，并将与该内存单元对应的位线连接到一负载(例如一叠接级或叠接放大器)。在一使用虚拟接地架构的内存阵列中，字线上的所有内存单元都接收到该核心电压。因而可能沿着该字线诱发一漏电流或误差电流，而实际上造成该字线上的该等内存单元间的不必要的相互影响。如果该漏电流够大，则可能在读取所选择的内存单元时造成一错误。

为了尽量减小一字线上的各内存单元间的相互影响，且为了减少读取时的错误，而使用了一种一般称为预充电(precharging)的技术。预充电工作时是将对应于正在被读取的内存单元的行的下一行充电(施加一电气负载)。如果漏极节点及预充电节点大约有相同的电压，则该预充电有减小漏电流的效果。请参阅先前技术的图1，例如，为了要读取第1行上的一内存单元，是将一预充电电压耦合到第2行。

在该先前技术中，可将内存阵列(5)耦合到一备用阵列(图中未示出)。该备用阵列本质上系列数与内存阵列(5)相同，但行数较少的另一内存区块。备用阵列的行数通常小于一区块或I/O的行数，但并不一定就是此种情形。

为了简化如何采用一备用阵列的讨论，将使用备用阵列中的行数小于一区块中的行数的一个例子。对内存阵列(5)的测试可能指示无法正确地读取沿着该内存阵列的其中一行的内存单元。例如，在制造期间可能已将诸如短路接地等的一缺陷列入该行。是将该备用阵列用来作为有缺陷的行以及包含有缺陷的行的区块中的其它行的替代物。可将内存阵列(5)中用该备用阵列取代的该等行称为“备用范围”(“redundancy window”)。先前技术的图1中举例示出一备用范围(6)。根据该例子，备用范围(6)是固定于一定的位置，且包含小于区块1中的行数的某一数目的行。此时并不将数据写到备用范围(6)中的该等行，也不自备用范围(6)中的该等行读取数据，而是将数据写到该备用阵列且自该备用阵列读取数据。因此，并不烧录备用范围(6)中的内存单元。

在重复地抹除内存阵列(5)之后，前文所述的备用机制可能会发生问题。当抹除内存的一区段(sector)时，抹除了该区段中所有的内存单元。“Y-选择(Y-select)”译码是所有I/O共同的；譬如，当抹除区块1时，也抹除了备用范围(6)中的内存单元。因此，继续上述的例子，纵使不曾烧录过备用范围(6)中的该等内存单元，也会抹除这些于备用范围(6)中的内存单元。因此，备用范围(6)中的该等内存单元会变为“被过度抹除”。在过度抹除的情形下，备用范围(6)中的该等内存单元的电阻减小，因而增加了这些内存单元的漏电流(误差电流)。此种漏电流的增加又可能影响到对邻近备用范围(6)的各行中的内存单元的读取，尤其可能影响到对邻接备用范围(6)的内存单元(例如，第N-1行中的那些内存单元)的读取。例如，与第N行相关联的漏电流可能较大；当对第N行施加预充电时，该预充电可能大到足以补偿该漏电流，因而在读取第N-1行时可能或造成错误。

因此，一种可消除或减少在读取邻近备用范围的内存单元时的错误的备用机制将是对传统备用机制的一种改良。

发明内容

本发明的各实施例有关一种可消除或减少在读取邻近一内存阵列中的备用范围的内存单元时的错误的内存备用方法及其系统。识别该内存阵列的一特定行(例如，一有缺陷的行)。根据本发明的各实施例，选择其中包含有缺陷的行的一组相邻行，而界定该备用范围。该组行的选择方式为在该有缺陷的行的一端有至少一行且在该有缺陷的行的另一端有至少另一行。在该有缺陷的行的每一端通常将有多个行。在一实施例中，该备用范围的界定方式为使该有缺陷的行大约在该组相邻行的中间。在另一实施例中，是指定与该备用范围的一边界对应的一地址，而界定该备用范围。

在一实施例中，只烧录在该备用范围的边界上的各行中的内存单元。在另一实施例中，烧录该备用范围中在该有缺陷的行的两端的所有行中的内存单元。一般而言，根据本发明的各实施例，有作用的且被烧录的各行的一障壁是位于该有缺陷的行与该备用范围的相邻(且在该备用范围的外)的行之间。

在一实施例中，是将该内存阵列中的该等多个行组织成若干独立的输入/输出(I/O)组，其中是将一I/O组内的各行耦合到一个别的I/O垫。在该实施例中，该备用范围可包含来自两个相邻I/O组的行。对于一个此种实施例而言，说明了一种将该备用阵列中的数据导引到适当的I/O垫的方法。亦说明了一种决定一指定的地址是否造成该备用范围(且因而该备用阵列)中的一命中的方法。

附图说明

被包含在本说明书且构成本说明书的一部分的各附图标出了本发明的各实施例，且该等附图连同说明是用来解说本发明的原理，这些附图有：

图1是先前技术的一内存阵列的一部分的示意图，图中示出一先前技术的内存备用机制。

第2A图是可用来实施本发明的实施例的一内存阵列的示意图。

第2B图是根据本发明的一实施例的一内存阵列及一备用阵列的方块图。

第3A图是根据本发明的一实施例的一例示内存单元的示意图。

图3B是根据本发明的一实施例的一例示镜像位内存单元的一示意图。

图4是一内存阵列的示意图，图中示出根据本发明的一实施例的一内存备用机制。

图5标出根据本发明的一实施例的内存阵列的例示输入/输出区块的一位对映表(实体的和逻辑的)。

图6是根据本发明的一实施例的内存备用方法的流程图。

图7A是根据本发明的一实施例而决定一地址是否与备用范围相关联的方法的流程图。

图7B是根据本发明的一实施例而自一内存阵列或备用阵列读取信息的方法的流程图。

图8A是根据本发明的一实施例而决定应将备用数据传送到哪一输入/输出垫的方法的流程图。

图8B标出根据本发明的一实施例而决定应将备用数据传送到哪一输入/输出垫的逻辑电路。

具体实施方式

在本发明的下列详细说明中，述及了许多特定的细节，以便能彻底了解本发明。然而，本领域技术人员当可了解，可在无须该特定细节或其等效事项的情形下实施本发明。在其它的情形中，并不详细说明现有的方法、程序、组件、及电路，以便不会非必要地模糊了本发明的各面向。

将以程序、步骤、逻辑方块、处理、以及可在计算机内存中对数据位执行的运算的符号表示法的方式呈现下文的详细说明的某些部分。这些说明及表示法是本领域技术人员用来将其工作的内涵最有效地传递给其它本领域技术人员的方式。程序、计算机执行的步骤、逻辑方块、程序等在本说明书中(且一般地)被认为是将造成一所需结果的首尾一致的序列的步骤或指令。该等步骤是需要对物理量进行物理操作的那些步骤。虽非必然，但通常这些物理量采取可在计算机系统中被存储、转移、结合、比较、及以其它方式操作的电气或磁性信号的形式。将这些信号称为位、数值、元素、符号、字符、项、或数字等术语时，已证明经常是较便利的，主要也是为了普遍使用之故。

然而，我们当谨记于心，所有这些术语及其它类似的术语都与适当的物理量有关，而且只是适用于这些物理量的便利性标记而已。除非在下文的说明中明显有其它特别的陈述，否则我们当了解：在本发明的全部说明书中，使用诸如“识别”、“界定”、“烧录”、“指定”、“选择”、“建立”、“接收”、“决定”、“比较”、或“读取”等的术语的讨论都意指计算机系统或类似的电子运算装置的动作及程序(例如，分别在第6、7A、7B、及8A图的流程图600、700、730、及800，且计算机系统是将该计算机系统的缓存器及内存内表现为物理量(电子量)的数据操作并变换成该计算机系统的内存、缓存器、或其它此种信息存储装置、传输装置、或显示装置内同样表现为物理量的其它数据。

图2A标出根据本发明的一实施例的内存阵列100的一部分。在第2A图中，为了简化讨论及附图，只示出了单一的字线40及若干位线30、31、及32。然而，我们当了解，一内存阵列实际上可使用不同数目的字线及位线。亦即，内存阵列100实际上将进一步向左及向右而延伸，且亦将沿着水平及垂直的方向而延伸(左、右、水平、及垂直都是相对方向)。可将字线称为列，并可将位线称为行；然而，我们当了解，这些都是相对的术语。我们亦当了解，图中只示出一内存阵列的某些组件；亦即，一内存阵列实际上可包含图中所示出组件以外的组件。例如，在一实施例中，内存阵列100采用一虚拟接地架构。在一虚拟接地架构中，根据要对内存单元进行读取(或烧录验证)，而可将一位线用来作为一源极或漏极。

一电源(电压源60)可耦合到字线40，而一负载(图中未示出)可耦合到各位线30至32。位线30至32是大致相互平行，且字线40是大致与该等位线正交。字线40及位线30至32是分别在若干节点10、11、及12上重叠(但并未连接)。这些节点的每一节点对应于一内存单元20、21、22。亦即，在该实施例中，内存单元20对应于节点10，内存单元21对应于节点11，且内存单元22对应于节点12。图中亦示出一内存单元23，该内存单元23是对应于另一节点(图中未示出)。内存单元20至23实际上是介于各位线之间，且是在字线之下(“在…之下”是一相对术语)。内存单元20至23可以是诸如第3A图所示的内存单元200等单一位的内存单元，或者可以是诸如第3B图所示的内存单元250等一镜像位(mirror bit)的内存单元。

图2B是根据本发明的一实施例而耦合到一备用阵列110的内存阵列100的方块图。虽然图中是视为个别的组件，但是我们当了解，可将内存阵列100及备用阵列110整合为单一组件。一般而言，备用阵列110本质上系列数与内存阵列100相同但行数较少的另一内存区块。备用阵列110是用于将在下文中名的一备用机制中。

图3A标出根据本发明的一实施例的例示内存单元300。在该实施例中，内存单元300是一浮接栅极内存单元，包含用来形成源极及漏极区的一基材310。内存单元300通常亦包含第一氧化物层320a、一存储组件330(例如一浮接栅极)、第二氧化物层320b、及一控制栅极340。在该实施例中，是将存储组件330用来存储单一位。诸如内存单元300等的内存单元是此项技术中现有的。

图3B标出根据本发明的一实施例的一例示镜像位内存单元350。在该实施例中，内存单元350包含一基材360、第一氧化物层370a、一存储组件380(例如一浮接栅极)、第二氧化物层370b、及一控制栅极390。与基于具有不同的源极及不同的漏极的一非对称晶体管的第3A图所示的内存单元300不同，镜像位内存单元350是基于具有类似的(可选择的)源极及漏极的一对称晶体管。此外，镜像位内存单元350配置成可让一位存储在存储组件380的任一端或两端。更具体而言，一旦将电子存储在存储组件380的一端之后，该等电子即停留在该端，且不会迁移到该存储组件的另一端。因此，在本实施例中，每一内存单元可存储两个位。

图4标出一内存阵列100，图中示出根据本发明的一实施例的一内存备用机制。为了简化附图，图中只示出内存阵列100的行(位线)。此外，图中只示出内存阵列100的两个输入/输出(I/O)区块(I/O 0及I/O1)；然而，我们当了解，内存阵列100通常将包含两个以上的I/O区块。此外，可将每一I/O分为某一数目的子I/O(请参阅图5)。

在本文的用法中，一I/O区块或I/O组(或简称为I/O)包含某一数目的行，且该等行被耦合到(例如选通到)单一的I/O垫或埠。在图4中，I/O 0耦合到I/O垫401，且I/O l耦合到I/O垫402。可以一种现有的方式利用I/O内容可寻址内存(Content Addressable Memory；简称CAM)而唯一地识别每一I/O。例如，对于16个I/O而言，是利用四个CAM来唯一地识别每一I/O。

在一实施例中，每一I/O有32行(N＝32)。请注意，图4所示的该等行是metal-2位线。每一metal-2位线是与两条metal-1位线相关联。例如，当N＝32时，每一I/O共有64条metal-1位线。在第3A图所例示的内存架构中，内存阵列100在每一I/O的每一字线中可存储64位的信息。在第3B图所例示的内存架构(镜像位架构)中，内存阵列100在每一I/O的每一字线中可存储128位的信息。

请参阅图4，内存阵列100是连接到一备用阵列110。备用阵列110包含某一数目的行。可将备用阵列110组织成具有若干组件，而各组件包含某一数目的行。例如，备用阵列110可包含由五行构成的单一组件，或者该备用阵列110可包含两个组件，且每一组件有五行。备用阵列110可包含组织成任何数目的组件的任何数目的行。

根据本发明的各实施例，是选择数目等于或小于备用阵列110的一组件中的行数的一组相邻行，而界定一备用范围410。为了便于讨论，在此处假设备用阵列110具有由五行构成的单一组件，且此处亦将备用范围410描述为包含五行。然而，我们当了解，备用范围410可根据备用阵列110中的行数而包含任何数目的行。

根据本发明的实施例，是选择一些行，使得一特定的(例如有缺陷的)行的一端上有至少一行，且该有缺陷的行的另一端上至少有另一行，而界定备用范围410。备用范围410通常将在有缺陷的行的每一端上包含一行以上。例如，可将诸如第N行等的一行识别为有缺陷的或有缺点的(但是也可能因某一其它的理由而选择第N行)。根据本发明的实施例，备用范围410包含第N行以及第N行的两端上的各相邻行(例如，在一端上的第N-2行及第N-1行、以及在另一端上的第N+1行及第N+2行)。在一实施例中，在该有缺陷的行(例如第N行)的一端上所选择的行数等于在该有缺陷的行的另一端上所选择的行数，使第N行位于备用范围410的中间。请注意，备用范围可完全位于一I/O区块内，可包含一完整的I/O区块，或者可包含来自两个相邻I/O区块的行。最后的例子是示于图4。

根据本发明的一实施例，是指定与备用范围410的一个边界对应的一地址，而界定该备用范围。下文中将参照图5而说明一种机制。亦可利用其它的机制来界定该备用范围。例如，可使用与第N-2行(或第N+2行)对应的地址来识别备用范围410的一边界。因为备用范围410中的行数是已知的，所以可利用第N-2行(或第N+2行)的地址来决定该备用范围中包含的其它行。再举另一个例子，可使用备用范围410中的每一行的地址，或者可使用备用范围410的两个边界上的各行的地址。在有缺陷的行(例如第N行)是位于备用范围410的中间的一实施例中，可使用第N行的地址来界定该备用范围，这是因为一相同数目的行将位于第N行的任一端。

如前文所述，根据本发明的实施例，是将图4的备用范围410界定成在该有缺陷的行的每一端上有至少一行。因此，备用范围410的各边界上将有可工作的(无缺陷的)行。在一实施例中，在该有缺陷的行的每一端上的至少一行中的内存单元被烧绿。在一个此种实施例中，只有备用范围410的边界上的各行中的内存单元被烧录。在另一此种实施例中，备用范围410中的所有可工作的行中的内存单元被烧录。因此，在该有缺陷的行与该备用范围(之外的)各相邻行之间有效地放置了可工作的且被烧录的行的一障壁。

在一实施例中，是将“0”(零)写到备用范围410中的各内存单元，而完成对该等内存单元的烧录。藉由烧录备用范围410中的各行，因而若重复地抹除内存阵列100时，这些行将不会被过度抹除。因此，在其它相邻行的读取作业期间中，可正确地将这些行预充电。例如，因为纵使第N-2行位于备用范围410(的边缘)内，也要烧录第N-2行，所以可在读取第N-3行时令人满意地对第N-2行预充电，因而消除了或减少了于读取与第N-3行相关联的内存单元时可能发生的错误。

图5标出根据本发明的一实施例的内存阵列(例如图4所示的内存阵列400)的一部分的位对映表500。更具体而言，位对映表500代表一镜像位内存阵列的一I/O。在本实施例中，是将位对映表500的I/O组织为四个子I/O501、502、503、及504。虽然随后将在第3B图所例示的镜像位架构的环境中说明本发明的实施例，但是我们当了解，可将该说明延伸到其它的内存架构，例如第3A图所例示的架构。

在下文的说明中，将说明一种用来界定一备用范围的机制。在所要说明的该机制中，识别该备用范围的起点；因为该备用范围中的行数是已知的，所以可利用该起点来界定该备用范围。如前文所述，亦可根据本发明而使用其它的机制来界定一备用范围。

在本实施例中，图5的位对映表500所代表的I/O能够在64个内存单元(64个metal-1行或32个metal-2行)中存储128个位。因此，必须以七个地址(A0至A6)来识别一特定的位。每一地址A0至A6代表一个逻辑零或一个逻辑一。位对映表500示出每一位的实际(实体)位置，以及利用该等七个地址A0至A6而识别的逻辑位置。用来界定一备用范围的起点的地址的数目是取决于所需的分离程度。如果需要以一位的层级来指定备用范围的起点，则可使用七个地址来界定该备用范围的起点。在一实施例中，是使用四个地址(尤指地址A6、A5、A1、及A0)来界定该备用范围的起点。如图5所示，使用这四个地址时，识别了一特定组的八个位(然而，只使用这四个地址时，无法个别地识别该组中的这八个位)。例如，当A6、A5、A1、及A0分别等于0、1、0、0时，识别了在实体位置8至15上的且在逻辑位置32、36、40、44、48、52、56、及60上的该组的位。因而将该备用范围的起点(“A”)识别为包含所识别的四行(八个位)。此外，可利用该等四个地址A6、A5、A1、及A0来识别位对映表500中被识别为“V”且是对应于该组的八个位的起点的一特定位置。

该备用范围可根据该备用阵列中的行数而延伸到一邻近的I/O。例如，类似于刚才所说明的方式，可以分别等于1、0、1、1的A6、A5、A1、及A0来识别具有一起点“B”的一备用范围。如果将该备用范围界定为包含16行，则具有起点“B”的该备用范围将延伸到图5中并未示出的另一(相邻的)I/O。

根据本发明的实施例，在选择一备用范围及其起点时，是指定与该备用范围相关联的各CAM，而固定所界定的备用范围。本文中将把这些CAM称为ADDCAM，以便与前文所述的I/O CAM区分。如果以前文所述的方式(亦即，使用四个地址)界定该起点，则可使用四个ADDCAM来界定该备用范围；一般而言，ADDCAM的数目对应于指定该备用范围时所需的分离程度。

当一应用是将信息写到一内存阵列或自一内存阵列读取信息时，通常是由该应用指定该内存阵列中的一地址。为了简化对照，本文中可将该地址称为“使用者指定的地址”。根据本发明的一实施例，可利用该等ADDCAM来决定使用者指定的地址是否会造成该备用范围中(因而也造成备用阵列中的)的一命中。当自备用阵列读取信息时，可将该使用者指定的地址、该等ADDCAM、及该等I/O CAM的组合用来将该备用阵列中的数据导引到适当的I/O垫。

图6是根据本发明的一实施例的一种内存备用方法的流程图600。虽然流程图600中揭示了一些特定的步骤，但是这些步骤只是举例。亦即，本发明极适于执行各种其它的步骤、或流程图600所示该等步骤的变形。我们当了解，可按照与所呈现顺序不同的顺序执行流程图600中的该等步骤，且不必然在所示的序列中执行流程图600中的该等步骤。

在步骤610中，是于本实施例中识别一内存阵列中的一特定行。例如，可将该内存阵列中的一有缺点的或无作用的行识别为该特定行。在图4所示的实施例中，是将第N行识别为该特定(有缺陷的)行。

在图6所示的步骤620中，是于本实施例中选择该有缺陷的行的每一端上的若干行(尤指一些相邻行)，而界定一备用范围。在一实施例中，该有缺陷的行的每一端上有至少一行；该有缺陷的行的每一端上通常有一行以上。在另一实施例中，该有缺陷的行是大致位于该备用范围的中间，而该有缺陷的行的每一端上有相同数目的行。在又一实施例中，该备用范围包含来自一个以上的I/O组或区块的行的若干行。

在步骤630中，于一实施例中，该备用范围中的内存单元的全部或部分被烧录。在一个此种实施例中，该有缺陷的行的每一端上的至少一行被烧录。在另一此种实施例中，只有该备用范围的边界上的各行中被烧录。在又一实施例中，该备用范围中的所有可工作的行被烧录。

图7A是根据本发明的一实施例而决定一地址是否与一备用范围相关联的一种方法的流程图700。虽然流程图700中揭示了一些特定的步骤，但是这些步骤只是举例。亦即，本发明极适于执行各种其它的步骤、或流程图700所示该等步骤的变形。我们当了解，可按照与所呈现顺序不同的顺序执行流程图700中的该等步骤，且不必然在所示的序列中执行流程图700中的该等步骤。

在第7A图的步骤710中，于一读取或写入作业中，是针对内存阵列中的内存位置而接收一地址(例如由应用指定的使用者指定的地址)。请务必注意，该地址通常将指向该内存阵列中的一位置。与该地址相关联的信息的实际位置是在该内存阵列中或是在备用阵列中在本质上是对所执行的作业透通的。

因此，在步骤720中，决定与步骤710中接收的地址对应的实际内存位置。如前文所述，在一实施例中，可使用取决于所需分离程度的某一数目的地址来界定该备用范围。在一个此种实施例中，使用被称为ADDCAM的四个地址来界定该备用范围的起点。在该实施例中，可将在步骤710中接收的地址与该等ADDCAM比较，以便决定是否有该备用范围中的一命中。该备用范围中的一命中指示与该地址对应的实际内存位置是在该备用阵列中；否则，实际内存位置是在内存阵列中。

在一读取作业中，请注意，可在自该内存阵列及(或)该备用阵列读取信息之后，才决定与图7A的步骤710中接收的地址对应的信息的实际内存位置。下文中将参照图7B而进一步说明此种情形。

图7B是根据本发明的一实施例而自一内存阵列或备用阵列读取信息的一种方法的流程图730。请参阅第7B图中的步骤740，在本实施例中，是针对一读取作业而接收一地址。然而，在本程序中的此点，并不作出与该地址是否对应于该备用范围内(因而也在该备用阵列内)的一位置有关的决定。

在步骤750中，于本实施例中读取该备用阵列中的信息。亦即，在一实施例中，于一读取作业期间总是读取该备用阵列中的信息。

在步骤760中，于本实施例中读取在步骤740中接收的地址所识别的内存阵列中的该位置上的信息。如果内存阵列中的该位置对应于该阵列中的有缺陷的行，则在步骤760中可不读取任何信息。如果该内存阵列中的该位置对应于该备用范围内的行，则可读取信息；然而，该信息可能是或可能不是有效的。例如，如前文所述，可只以零来烧录该备用范围中的有作用的行，且或许只烧录该备用范围中的某些行。下文中的步骤770将解决此种情形。请注意，可在大致相同的时间而以平行的方式执行步骤750及步骤760。

在步骤770中，于本实施例中决定(来自步骤740的)该地址是否对应于该备用范围中的一内存位置。如果该地址对应于该备用范围中的一内存位置，则该读取作业中要求的信息是位于该备用阵列中。因此，在步骤772中，使用步骤750中自该备用阵列读取的信息来取代步骤760中自该内存阵列读取的信息。如果该地址对应于该备用范围外部的一内存位置，则在该读取作业中要求的信息是位于该内存阵列中。因此，在步骤774中，使用步骤760中自该内存阵列读取的信息来取代步骤750中自该备用阵列读取的信息。在一实施例中，使用一多任务作业来完成步骤772及774。

图8A是根据本发明的一实施例而决定应将备用数据传送到哪一输入/输出垫的一种方法的一流程图800。第8B图标出用来实施流程图800的一逻辑电路的一个实施例。虽然流程图800中揭示了一些特定的步骤，但是这些步骤只是举例。亦即，本发明极适于执行各种其它的步骤、或流程图800所示该等步骤的变形。我们当了解，可按照与所呈现顺序不同的顺序执行流程图800中的该等步骤，且不必然在所示的序列中执行流程图800中的该等步骤。

在图8A的步骤810中，是利用诸如前文中参照图7A及图7B所述的程序，而在一读取作业中识别并找到该备用阵列中的一内存位置。如前文所述，该备用范围可延伸到一个以上的I/O区块。因此，可能需要决定哪一I/O区块是与该备用阵列中被识别的位置相关联，以便可将自该位置读取的信息导引到适当的I/O垫或埠。

因此，在图8A的步骤820中，决定该适当的I/O区块。在一实施例中，是利用诸如图8B所示的一逻辑电路，而进行由使用者指定的地址、用来界定各I/O区块的各I/O CAM、以及用来界定该备用范围的各ADDCAM构成的一比较，以便识别该适当的I/O区块。因此，可将自该备用阵列读取的信息导引到该适当的I/O垫。

前文中已针对例示及说明而提供了对本发明的一些特定实施例的说明。这些说明的用意并非具有耗尽性，也并非将本发明限制在所揭示的刻板形式，且显然在参照前文的揭示事所述之后将可作出许多修改及变化。选择并说明该等实施例，以便以最佳的方式解说本发明的原理及其实际应用，因而使其它本领域技术人员能够在适于所考虑的特定用途而进行的各种修改下，而以最佳的方式利用本发明及各实施例。将由最后的权利要求书及其等效事项界定本发明的范围。