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电荷陷入非挥发性记忆体的电荷平衡操作方法

摘要

一种具有电荷陷入结构的记忆胞具有多种偏压安排。经过多次降低与提升记忆胞的临界电压后,在电荷陷入层中留下电荷分布。此电荷分布干扰记忆胞所能达到的临界电压。透过周期性执行电荷平衡偏压操作可以平衡电荷分布。另外,在记忆胞的程式化与抹除周期开始之前亦可施用电荷平衡偏压安排。

著录项

  • 公开/公告号CN1691309A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200510066250.6

  • 发明设计人 施彦豪;

    申请日2005-04-25

  • 分类号H01L21/82;G11C7/20;G11C11/34;G11C16/00;H01L27/04;H01L27/10;

  • 代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁;张华辉

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2023-12-17 16:42:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-18

    授权

    授权

  • 2005-12-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-02

    公开

    公开

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