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具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器

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摘要

一种用于制造具有更均匀阈值电压的薄膜晶体管的方法，以及包括该薄膜晶体管的平板显示器件。该方法包括在衬底上形成非晶硅膜，从非晶硅膜的表面去除氧化硅层，在非晶硅膜的表面上形成氧化硅层，和通过结晶化非晶硅膜形成多晶Si层。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-04-27

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 公开日:20051109 申请日:20050429

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-02-18

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090116 申请日:20050429

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2007-05-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-09

公开

公开

1. 具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器 [P] . 中国专利： CN1694232A . 2005-11-09
2. 多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN103219228B . 2016.05.25
3. Method of manufacturing thin film transistor having polycrystalline silicon layer, thin film transistor manufactured using the method and flat panel display comprising the thin film transistor [P] . 美国专利： US7553714B2 . 2009-06-30

机译：具有多晶硅层的薄膜晶体管的制造方法，使用该方法制造的薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的平板显示器
4. Method of manufacturing thin film transistor having polycrystalline silicon layer, thin film transistor manufactured using the method and flat panel display comprising the thin film transistor [P] . 美国专利： US2005242353A1 . 2005-11-03

机译：具有多晶硅层的薄膜晶体管的制造方法，使用该方法制造的薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的平板显示器
5. A METHOD FOR PREPARING THIN FILM TRANSISTOR HAVING POLYCRYSTALLINE SI LAYER, A THIN FILM TRANSISTOR PREPARED BY THE METHOD AND A FLAT PANNEL DISPLAY COMPRISING THE THIN FILM TRANSISTOR [P] . 韩国专利： KR20070060839A . 2007-06-13

机译：具有多晶硅Si层的薄膜晶体管的制备方法，由该方法制备的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的平板显示器