采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法

摘要

一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长芯区；(4)等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长15μm上包层；(5)抛光去掉生长在氧化包层上的芯层、上包层材料，整个硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。