一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法

摘要

本发明涉及光波导技术领域，特别是一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法。该波导的脊形部分截面形状由一个矩形顶部和一个等腰梯形底部构成，波导对光的下限制层为绝缘层，波导的上表面由硅的氧化物和/或者氮化物覆盖。其制作方法包括：a.在SOI晶片上，通过光刻工艺制作光波导的掩膜；b.在顶层硅上用干法刻蚀一个截面为矩形的脊形波导；c.在原掩膜的基础上，用湿法刻蚀对矩形脊波导进行二次刻蚀；d.去除掩膜，在脊形波导上覆盖氧化物和/或者氮化物层。本发明的结构、制作相对简单、刻蚀表面光滑无损伤无聚合物残留、耦合效率相对较高，可以改善波导的光学性能和电学性能。