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Broadband Silicon-On-Insulator directional couplers using a combination of straight and curved waveguide sections

机译:宽带绝缘体上硅定向耦合器结合了直线形和弯曲形波导段

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摘要

Broadband Silicon-On-Insulator (SOI) directional couplers are designed based on a combination of curved and straight coupled waveguide sections. A design methodology based on the transfer matrix method (TMM) is used to determine the required coupler section lengths, radii, and waveguide cross-sections. A 50/50 power splitter with a measured bandwidth of 88 nm is designed and fabricated, with a device footprint of 20 μm × 3 μm. In addition, a balanced Mach-Zehnder interferometer is fabricated showing an extinction ratio of >16 dB over 100 nm of bandwidth.
机译:宽带绝缘体上硅(SOI)定向耦合器是基于弯曲和直线耦合波导部分的组合而设计的。基于传输矩阵方法(TMM)的设计方法用于确定所需的耦合器截面长度,半径和波导截面。设计和制造了一个带宽为88 nm的50/50功率分配器,器件占地面积为20μm×3μm。另外,制造出平衡的马赫曾德尔干涉仪,其在100 nm带宽上的消光比> 16 dB。

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