相变型存储器用溅射靶、使用所述靶形成的相变型存储器用膜及所述靶的制造方法

摘要

本发明提供一种相变型存储器用溅射靶和使用所述靶形成的相变型存储器用膜，以及所述靶的制造方法，其特征在于溅射靶由至少三元体系的元素组成并以选自锑、碲和硒的一种或多种成分作为其主成分，以及相对于目标组成的组成偏差至多为±1.0at％。该相变型存储器用溅射靶能够尽可能减少引起重写次数减少的杂质，重写次数减少的原因是这些杂质在存储点和非存储点的界面附近偏析和浓缩；特别是，减少影响结晶化速度的杂质元素，减少靶相对于目标组成的组成偏差、以及通过抑制靶的组成偏析提高相变型存储器的重写特性和结晶化速度。