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一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法

摘要

本发明涉及一种后补铝合成高硅MWW结构分子筛的方法,首先通过对合成得到的MWW结构的硼硅分子筛在强酸条件下脱硼得到全硅MWW结构分子筛,然后对MWW结构的全硅分子筛进行后处理开层并且在开层的同时进行补铝得到任意高硅铝比的MWW结构分子筛。本合成方法突破了原有的直接合成的方法合成所能得到MCM-22分子筛的硅铝比范围较窄(Si/Al为10-15)的限制,可以得到超出原有合成方法限制的任意高硅铝比的高硅MWW分子筛。与其它合成高硅MWW分子筛的体系相比,本合成方法体系简单,合成的高硅MWW分子筛的硅铝比可以调节。

著录项

  • 公开/公告号CN1616350A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院大连化学物理研究所;

    申请/专利号CN200310115620.1

  • 发明设计人 程谟杰;柳林;刘宪春;包信和;

    申请日2003-11-10

  • 分类号C01B39/48;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周长兴

  • 地址 116023 辽宁省大连市中山路457号

  • 入库时间 2023-12-17 16:08:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-02-06

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-18

    公开

    公开

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