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后表面氟化处理的非晶碳薄膜疏水材料的制备方法

摘要

后表面氟化处理的非晶碳薄膜疏水材料的制备方法,涉及一种疏水性薄膜材料的制备方法。针对不能在那些能被氟气氛腐蚀的固体表面直接沉积氟化非晶碳薄膜的问题,本发明提供了一种制备方法,特征在于包括以下步骤:先用常规气相沉积方法在作为基底的惧氟表面上沉积一层非晶碳薄膜,厚度在0.1微米到3微米的范围;然后将基底再放入化学气相表面处理室中,对该表面处理室抽真空后充入氟碳类气体,气压在1~10000Pa的范围内;在基底附近施加射频电磁场使气体产生辉光放电,射频功率密度为2~100W/cm2,基底温度0~500℃,氟化时间10~120分钟。本发明实施例的基底经显微观察均未发现腐蚀,接触角达120°以上。

著录项

  • 公开/公告号CN1614091A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN200410083959.2

  • 申请日2004-10-14

  • 分类号C23C28/04;C23C14/06;C23C14/35;C23C16/22;C23C16/505;

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-12-17 16:08:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-16

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-01-24

    授权

    授权

  • 2005-07-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-11

    公开

    公开

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