非临界层的临界尺寸的覆盖标记

摘要

一种覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸(critical dimension)，包含四条彼此分离的第一条状物(bar)。此四条第一条状物定义一矩形，且每一第一条状物对应并平行矩形的每一边长。四条彼此分离的第二条状物位于矩形中，其中每一第二条状物对应并平行每一边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。

说明书

技术领域

本发明涉及一种覆盖标记(overlay mark)，尤其涉及一种用于监测非临界层(non-critical layer)的临界尺寸(critical dimension)的覆盖标记。

背景技术

随着半导体尺寸的缩小，并提高集成度，其所伴随的是制程的复杂化与困难度的提高。为了减少制程中报废的产品，半导体制造厂商无不费心地寻求各种实时监控、测量的方法，以在发生问题的时候，能够实时发现并解决问题。

以微影(photolithography)制程来说，调校准确性(alignment accuracy)是决定制程成功的重要因素之一，一般是通过一特定晶圆上形成的一覆盖标记，在特定的时间监测调校的准确性。传统覆盖标记包含四条内条状物(inner bar)与四条外条状物(outer bar)围成两个具有同一几何中心的矩形，其中外条状物表示先前结构层(fore-layer)的位置，内条状物表示微影步骤后、在光阻层上的图案。换句话说，内条状物的位置是基于外条状物而定的。在监测调校的准确性期间，利用一扫描光束，扫描两条外条状物及两条内条状物。当偏差值超出制程所设定的范围过大时，则必须移除产品晶圆上已图案化的光阻层，重作一次。

上述的覆盖标记，虽然可用以监测调校的准确性，但在制程中使用，会占用许多时间，造成制程成本的增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种覆盖标记，用于监测非临界层(non-critical layer)的临界尺寸，可减少监测所花费的时间。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种覆盖标记(overlay mark)，用于监测非临界层(non-critical layer)的临界尺寸(critical dimension)，包含四条彼此分离的第一条状物(bar)。此四条第一条状物定义一矩形，且每一第一条状物对应并平行矩形的每一边长。四条彼此分离的第二条状物位于矩形中，其中每一第二条状物对应并平行每一边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。

本发明可减少监测所花费的时间，且可提高监测调校的准确性。

附图说明

图1是根据本发明的覆盖标记的正视示意图。

图2是本发明的第二条状物的正视示意图。

标号说明

10  第一条状物

12  第二条状物

14  矩形

16  第三条状物

具体实施方式

本发明提供一种覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸，包含四条彼此分离的第一条状物，其定义一矩形，且每一第一条状物对应并平行矩形的每一边长。四条彼此分离的第二条状物位于矩形中，每一第二条状物对应并相邻每一第一条状物且由多条彼此平行的第三条状物所组成，其中每一第三条状物垂直对应的边长。

图1为根据本发明的覆盖标记的正视示意图。如图1所示，在本发明的一实施例中，覆盖标记包含四条第一条状物10与四条第二条状物12。四条第一条状物10定义了一矩形14，且每一条第一条状物10彼此是分离的，并且各自对应与平行于矩形14的每一边。如同一般的覆盖标记，第一条状物10所表示的为先前结构层(fore-layer)的位置。

再者，在矩形14中的四条第二条状物12，其中每一条都是彼此分离的，并且各自对应平行于矩形14的每一边。换句话说，每一条第二条状物12平行并且相邻(但不紧靠)于对应的第一条状物10。在本实施例中，由于四条第二条状物12位于矩形14中，因此第二条状物12的长度比第一条状物10的长度短。

图2为本发明的第二条状物的正视示意图。在此实施例中，每一第二条状物是由若干彼此分离且平行的第三条状物16所组成的，其中，第三条状物16垂直于对应的矩形14的边长，亦垂直于对应的第一条状物10。要说明的是，第三条状物16的间距并无限制，可随设计所需定出，或利用仿真的方式计算其理想值亦可。本发明的特征之一，即利用这些彼此分离且平行的第三条状物16，作为监测非临界层的临界尺寸。利用本发明的覆盖标记的监测方法，在离焦(defocus)期间，具有第三条状物16的第二条状物12会有线端缩短(line-end shortening)情形，而对于表示已蚀刻的第一条状物10，离焦期间则不会有明显的变化情形。由于离焦，造成第三条状物16会有中心偏移(center shift)的量，反算此中心偏移量，即可得知离焦的程度，如此一来，便可快速监测到非临界层的临界尺寸。

以上所述的实施例仅为了说明本发明的技术思想及特点，其目的在于使本领域内的普通技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，本发明并不局限于上述实施例，即凡依本发明所揭示的精神所作的等同变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利保护范围内。