负微分电阻场效应晶体管及其电路

摘要

本发明公开了一种改进型负微分电阻场效应晶体管(NDR－FET)。该NDR－FET包括在衬底(可以是硅或SOI)与栅极绝缘层之间的交界面之上或者极靠近该交界面形成的电荷陷获层。这样，可以优化电荷陷阱，以便非常快速陷获和去陷获电荷，因为它们非常靠近热载流子的沟道。NDR－FET还可以替换传统NDR二极管以及存储单元内的类似器件，而且激活仅需要单沟道技术(即代替CMOS)而且还提供低功率的整组逻辑电路。