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用于宽带通信系统的表面发射DFB激光器结构及阵列

摘要

表面发射半导体激光器包括具有激活层的半导体激光发射结构、邻接上述激活层的反相包层、衬底以及向半导体激光发射结构注入电流的电极。也包括具有周期性交替元件的二阶或更高阶的分布式衍射光栅,每个元件归类为高增益元件或低增益元件。每个元件都有一个长度,高增益元件的长度和低增益元件的长度共同定义了光栅周期,要求该周期必须在一定范围内,以产生光通信信号频带内的光学信号。高增益元件的总长度不能大于低增益元件的总长度。本文将提出简单的激光器结构或在同一衬底上的激光器结构阵列,以及测试晶片上激光器结构的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1602570A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福托纳米公司;

    申请/专利号CN02824887.2

  • 发明设计人 阿里·M·沙姆斯-扎德哈米里;

    申请日2002-11-15

  • 分类号H01S5/12;H01S5/18;H01S5/187;

  • 代理机构中国商标专利事务所有限公司;

  • 代理人徐小琴

  • 地址 加拿大安大略

  • 入库时间 2023-12-17 16:00:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-12-27

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-06-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-30

    公开

    公开

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