一种金属前接触孔清洗工艺

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属前接触孔刻蚀后的清洗工艺。在0.35微米或以上工艺，人们通常采用硫酸溶液(SPM)进行刻蚀后的接触孔清洗，但总有残留颗粒；但当器件尺寸缩小到0.25微米或以下工艺时，接触孔中的残留颗粒严重的影响产品的成品率。为了解决这一问题，本发明提出了一种SPM+APM的清洗方法，用氨水溶液(APM)去除接触孔中的残留颗粒，特别是以SiO2为主要成分的残留颗粒。通过调节SPM和APM的浓度、温度和清洗时间，获得合适的清洗工艺条件，从而使接触孔连接可靠性大大地提高。