首页> 中国专利> 制作晶圆试片的方法及评估光罩图案间迭对位准的方法

制作晶圆试片的方法及评估光罩图案间迭对位准的方法

摘要

一种评估两光罩间迭对位准的方法。首先,以具有第一光罩图案的第一光罩进行微影制程,以定义蚀刻晶圆而形成第一曝光图案。接着,在晶圆表面覆盖光阻层,并以具有第二光罩图案的第二光罩定义该光阻层而形成第二曝光图案。其次,量测晶圆上的第一曝光图案与第二曝光图案于X方向、Y方向或X与Y方向的偏移值。之后,校正该偏移值的曝光变形值(scaling)与迭对偏移值(overlay offset)以得到第一与第二光罩图案间的迭对位准。最后,判定迭对位准是否合于一定规格。

著录项

  • 公开/公告号CN1601379A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;

    申请/专利号CN03157469.6

  • 发明设计人 吴文彬;萧智元;毛惠民;

    申请日2003-09-22

  • 分类号G03F7/00;G03F9/00;H01L21/027;

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李强

  • 地址 台湾省桃园县

  • 入库时间 2023-12-17 16:00:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-05-30

    授权

    授权

  • 2005-06-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-30

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号