首页> 中国专利> 具长期热载子补偿之自动侧向扩散金氧半导体偏压

具长期热载子补偿之自动侧向扩散金氧半导体偏压

摘要

本发明揭示LDMOS装置在激活时自动偏压之系统及方法。本发明提供每次在LDMOS装置激活时具有热载子补偿效应之偏压点设定,及提供装置之作业期间之温度补偿。本发明之系统及方法可调整而使复数个LDMOS装置可同时将其偏压点设定,并备有温度补偿。

著录项

  • 公开/公告号CN1589522A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN02818678.8

  • 发明设计人 C·布赖尔;R·巴托拉;N·V·迪西特;

    申请日2002-09-23

  • 分类号H03F1/30;H03F3/193;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正;梁永

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 16:00:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H03F1/30 登记生效日:20180605 变更前: 变更后: 申请日:20020923

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-09-09

    授权

    授权

  • 2005-05-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-02

    公开

    公开

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