侧向扩散式金氧半场效晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其包括半导体基板、漏极区、轻掺杂漏极区、源极区以及栅极结构。其中，基板具有沟槽；漏极区形成于沟槽底部的半导体基板中；轻掺杂漏极区形成于沟槽侧壁的半导体基板中；源极区形成于半导体基板中；栅极结构形成于漏极区与源极区间以及轻掺杂漏极区上方的半导体基板表面上。本发明另提供侧向扩散式金氧半场效晶体管结构制造方法。