公开/公告号CN1567571A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;
申请/专利号CN03146374.6
申请日2003-07-10
分类号H01L21/8242;H01L21/70;
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省桃园县
入库时间 2023-12-17 15:47:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-05-30
授权
授权
2005-03-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-01-19
公开
公开
机译: 制造具有沟槽型隔离层的半导体器件的方法,该绝缘层能够通过利用绝缘层填充护沟来去除护城河中的栅状材料的残留层
机译: 沟槽型电容器,具有该电容器的半导体装置以及具有该半导体装置的半导体模块
机译: 具有具有刀槽花纹和/或其他负横向沟槽几何形状的沟槽的轮胎