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一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法

摘要

本发明涉及集成电路领域,并具体的公开了一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法。本发明的同步单口SRAM包括:一个普通的同步单口静态随机存储器本体(1),并且还包括一个多输入多输出端的映射逻辑电路模块(2),所述映射逻辑电路模块(2)包含有用于连接上述同步单口静态随机存储器本体(1)各个信号端的端口,同时该映射逻辑电路模块(2)还包含有用于连接同步双口静态随机存储器所适用之信号端的端口,该映射逻辑电路模块(2)在上述同步单口静态随机存储器本体(1)和对应于同步双口静态随机存储器的各信号端口之间进行映射连接。

著录项

  • 公开/公告号CN1555063A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京中星微电子有限公司;

    申请/专利号CN200310118493.0

  • 发明设计人 朱哲;金传恩;

    申请日2003-12-19

  • 分类号G11C11/413;H01L27/10;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层

  • 入库时间 2023-12-17 15:43:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-07

    发明专利申请公布后的驳回

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2005-02-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-12-15

    公开

    公开

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