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公开/公告号CN1557993A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 耿庆仁;
申请/专利号CN200410021043.4
发明设计人 耿庆仁;
申请日2004-01-13
分类号C25B1/26;C02F1/461;
代理机构
代理人
地址 116038 辽宁省大连市甘井子区泡崖小区宏欣街8号楼4-6-1
入库时间 2023-12-17 15:43:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-27
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-03-02
实质审查的生效
2004-12-29
公开
机译: 产品铈离子溶液。在无隔膜电解槽中-被氧化。铈离子溶液。在杂环cpd存在下。提高当前产量
机译: 汞齐工艺用于电解碱金属氯化物的无隔膜电解槽
机译:使用多壁碳纳米管和火花等离子体烧结工艺在无基材的情况下无催化剂制备石墨烯纳米片
机译:基于无电感等离子体辐照和真空沉积工艺的氨基酸膜的制备与结构
机译:通过热热工艺制备的硫化硫醚量子点的乙醇气体传感性能与连续离子层吸附和反应法相结合的水热工艺制备的氧化锌纳米棒
机译:无等离子体气体蚀刻工艺对离子注入工艺中受损氧化物的作用机理
机译:利用低温等离子体工艺制备离子导电薄膜的研究
机译:纳米压印光刻技术制备的金纳米孔阵列实时无标签表面等离子体共振生物传感。
机译:小点惰性气体离子铣削工艺作为聚焦离子束样品制备的补充技术
机译:离子镀技术制备氢化非晶硅薄膜和薄膜太阳能电池的制备与表征。最终报告,1979年1月1日至1980年5月31日